知名分析机构IC Insights日前修订了他们对半导体企业资本支出的统计。根据他们的数据显示，三星2018年在IC方面的的资本支出领先于所有的竞争对手。虽然相对于2017年的242亿美元支出，三星在今年的表现稍微下滑，但他们在2018年的资本支出也达到了惊人的226亿美元，与2016相比还是翻了一倍。如果统计三星在近两年的资本支出，我们会发现这个数据会达到惊人的468亿美元。

为了说明三星这个资本支出的可怕性，我们可以与华为进行对比。他们在最近的采访中曾提过，每年投入到研发中的成本为100到两百亿美元，也就是说三星光是半导体上面的资本支出是华为的两倍多。与Intel今年150亿美元的资本支出相比，三星也是遥遥领先。

如上图所示，三星半导体的资本支出首次超过100亿美元是在2010年，直到 2016年，他们平均每年的支出也仅为120亿美元。然而，在2016年支出113亿美元后，该公司的2017年资本支出预算直接增加了一倍以上，在2018年同样保持了强劲资本支出势头，这一事实同样令人印象深刻。

IC Insights认为，三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响。已经开始的一个影响是3D NAND闪存市场的产能过剩期。这种产能过剩的情况不仅归因于三星对3D NAND闪存的巨额支出，还来自竞争对手（例如SK海力士，美光，东芝，英特尔等）的投入，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的发展步伐，这就造成了今天的局面。

随着DRAM和NAND flash市场在2018年前三季度出现强劲增长，SK海力士今年的资本支出也持续增加。在1Q18的时候，SK海力士表示，它计划今年将其资本支出开支增加“至少30％”。而在11月的更新，IC Insights预测SK海力士的半导体资本支出将增长58％。SK海力士今年增加的开支主要集中在两个大型内存晶圆厂：韩国清州的3D NAND闪存晶圆厂以及中国无锡大型DRAM晶圆厂的扩建。清州工厂将在今年年底前开业，无锡工厂同样计划在今年年底前开业，这比原先设定的2019年初开始日期提早几个月。

IC Insights认为，半导体行业今年的资本支出总额将增长15％至1071亿美元，这是该行业首次实现年度行业资本支出首次达到1000亿美元。但我们预估，继今年全行业增长之后，预计2019年半导体资本支出将下降12％（下图）。

鉴于目前内存市场的疲软预计至少会延续到明年上半年，三大内存供应商三星，SK海力士和美光的总资本支出预计将从454亿美元下降至2018年2019年为375亿美元，下降了17％。

总体而言，预计今年将占总支出66％的前五大厂商预计将在2019年削减14％的资本支出，而其余的半导体行业公司将下降7％。