随着功率器件往高性能、小体积、模块化方向的发展，不仅需要好的热性能，还要具备复杂的线路布局，以满足更为复杂的功能。常规Leadfram搭配WB的封装工艺受限于管脚数量问题，越来越不满足高集成功率器件封装要求。天芯互联（SCI）和中科四合经四年研发利用PLFO（Panel level Fan-out）的先进封装工艺，完成功率半导器件或集成模组的生产。符合功率器件往高性能、小体积、模块化、集成化发展的需求。所谓PLFO工艺是线路板厂将Fan Out技术通过线路板加工工艺进行衍生，Panel级的高效生产与芯片封装结合的一种先进封装。

图1 Fan out 工艺和PLFO工艺对比（Yole Development）

图2  PLFO平台的SiP 3D封装

天芯互联利用PLFO（Panel level Fan-out）技术，开发了一种新型的可扩展的先进功率器件封装，该技术不采用传统的WB、铜Clip焊接等工艺，而采用电镀填铜进行互联，可以实现较低内阻和较好的散热性能。图3 为PLFO功率器件封装的工艺流程图。图4为PLFO封装MOSFET产品结构示意图。

图3  PLFO工艺流程图

图4   PLFO封装产品结构示意图

表一为不同封装结构的封装内阻对比，对比常规的MOSFET封装方案，SCI的单面盲孔方案内阻最高下降1.28MΩ，下降幅度为85.3%。

表一 不同封装结构封装内阻对比图

天芯互联在PLFO技术方面已经申请了24项专利，同时针对功率器件通过PLFO平台重点研发，目前已经完成了TVS器件的量产，同时MOSFET器件已经跨入小批量阶段。在进行工艺研发的同时，天芯互联也在对材料进行开发，通过开发新型的基板材料、封装材料用于应对后续PLFO工艺平台不同场景的应用。