由于半导体发展趋势，在相同晶圆面积下填入更多晶体管，势必使线宽逐渐微缩，但尺寸微缩却有限制，其闸极线宽极限约在3～5nm间(线宽愈小则电阻值愈大)，使得科学家试图找寻在不微缩线宽尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩尔定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶绝缘体技术，即为解决方法之一。

　　所谓SOI技术是由Si晶圆透过特殊氧化反应，使氧化层(Buried Oxide)形成于Si层与Si晶圆间，最终产生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构，由于SOI的半导体特性(低功耗、高性价比与低制造周期等)，使得元件拥有取代线宽较大(16-12nm)之FinFET结构优势。

　　磊晶技术发展，无助于SOI生成上之演进

　　SOI的发展脉络可追朔至1960年中后期，由于半导体为了追求适当的绝缘材料作为基板，逐渐开发出以蓝宝石基板为基础而成长的Si磊晶层SOS(Silicon on Sapphire)技术，为SOI原型，但由于蓝宝石基板价格昂贵，目前已较无人使用此技术。

　　另一方面，日商Canon也于2000年初，针对SOI技术开发ELTRAN(Epitaxial Layer TRANsfer)成长方法，虽然SOI最上层之Si层材料可由磊晶方式成长，且条件易于控制，但整套流程需经阳极氧化(形成多孔性Si层)、磊晶、高温氧化、键结、分离蚀刻与氢气退火等步骤，过程十分繁琐，因而这项技术最后也无疾而终。

　　若以现阶段SOI生成技术评估，主要可分为离子布植及晶圆接合等方式进行，相关技术有以下几种：SIMOX(Separation by IMplanted OXygen)、BESOI(Bond and Etch-back SOI)与Smart-Cut等，作为后续供应现行SOI晶圆之方法。

　　三大SOI生成方法，以Smart-Cut技术独步群雄

　　以SIMOX技术为例，成长SOI方法主要透过离子布植机，将大量氧离子(O+ ions)打入Si晶圆前缘部分，再透过高温退火(1,300℃)使其产生氧化层，最终形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。

　　该技术制作的SOI虽较容易，但由于氧离子于离子布植时，难以穿透Si晶圆达到深处，使得Si层只有约50～240nm厚度，因此后续还需经由磊晶成长方式，使Si层厚度增加，达到SOI元件所需的要求。

　　BESOI成长方式是先透过两片Si晶圆，经高温氧化后形成两片表面氧化层的结构(SiO2/Si Substrate)，再将两片氧化层相互接合并加热(1,100℃)，使其产生键结与退火，最终经CMP研磨后形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。尽管Si层的厚度已较SIMOX技术相对好控制，但两片氧化层接合之键结良率，仍是SOI晶圆产能的决定关键，需大量时间研磨除去多余Si层。

　　而Smart-Cut技术则为法国SOITEC开发的方法，可有效加速SOI制作速率。Smart-Cut前半部分将如BESOI技术一般，先将两片Si晶圆经高温氧化形成表面氧化层，然后将其中一片的氧化层以离子布植机打入大量氢离子(H+)，随后再将两片氧化层以亲水性链结(Hydrophilic Bonding)方式相互接合，并加热至400～600℃使氢离子层产生断裂，分离多余的Si层，最终经退火(1,100℃)与CMP研磨后，形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。

　　借由Smart-Cut方法，确实有效缩减CMP研磨时间(经氢离子层断裂后留下之Si层变薄的缘故)，但两片氧化层的接合键结良率仍是SOI决定要素，尽管如此，Smart-Cut还是能大幅提高SOI晶圆的生成速率，有效降低SOI晶圆成本，并得以驱使现行的光通讯元件、物联网与车用芯片领域加速发展。

　　来源：拓墣产业研究院