5月8日，据中央社报道，由于液态氮外包厂商施工失误，导致延迟出货影响，半导体磊晶厂英特磊4月营收为4800万元(新台币，下同)，较上个月减少23.8%，也较去年同期减少0.9%。累计1至4月营收2.29亿元，年减4.27%。

　　英特磊表示，4月营收受到影响主要是因液态氮承包厂商施工疏失，导致分子束磊晶(MBE)设备延迟出货，预估此次延迟出货可在1至2个月内补回，后续赔偿损失将交由保险公司处理。

　　现行化合物半导体商用磊晶制程技术，大致可分成MOCVD(有机金属气相沉积法)和MBE(分子束磊晶技术)。若以成长技术而论，MOCVD的成长条件由气相方法进行，透过氢气或氮气等特定载气引导，使三族和五族气体均匀混合后，再导入反应腔体中，接着透过适当的反应温度(400～800度)，让气体裂解并成长于基板上。MBE成长条件则透过元素加热方式，借由超高真空环境的腔体，将所需磊晶元素加热升华形成分子束，当分子束接触基板后，就可形成所需磊晶结构。

　　而英特磊这两样制程技术都可做，并采用MBE技术从事砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)、磷化铟(InP)化镓等三五族化合物半导体磊晶(Epi)的生产，拥有从基板到磊晶的垂直整合技术能力。

　　磊晶可提供无线通讯、卫星通讯、光纤通讯5G等商用，甚至是太空与国防上的红外线感测、夜视、摄影等产品应用，受惠5G基础建设布建，以及车用化合物芯片的需求将逐步增加，这也为磊晶市场δ来增加成长动能。