三星已成功研发8nm LPDDR5内存,提速至7.3Gbps
2019-06-14
去年7月,三星就宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级工艺,单颗容量8Gb(1GB),去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5内存计划2020年商用。今年2月底,JEDEC(固态存储协会)正式发布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。
相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准,LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻番。
如果匹配高端智能机常见的64bit bus,每秒可以传送51.2GB数据;要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。
6.4Gbps的LPDDR5内存远不是终点,三星作为全球第一大内存芯片厂商,现在已经在研究更高标准的LPDDR5芯片了,在VLSI 2019大会上,他们公布了8nm工艺的LPDDR5 Phy物理层芯片,一举将速率提升到了7.3Gbps,而且功耗只有790mW。
除此之外,三星还在继续提升LPDDR4X内存的速率,目前LPDDR4X-4266Mbps内存已经有了,三星的目标是5Gbps的LPDDR4X内存。
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