奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。

GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车或纯电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。

Nexperia去年推出了一系列已获AEC-Q101认证的GaN FET器件，在这一高效技术领域为汽车设计师们提供成熟可靠的器件及不断扩充的产品组合，从而提供动力系统电气化所需的功率密度。Ricardo在汽车行业深受好评，这家全球性工程创新公司为汽车行业的概念提供设计和咨询服务，包括技术原型和演示器的生产，并与McLaren和Bugatti等著名领先品牌合作。对于该项目，Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。

Nexperia GaN FET器件的总经理Michael LeGoff表示：“通过将GaN FET器件用于逆变器设计并由Ricardo对逆变器进行试验，我们能够更好地了解如何安全可靠地驾驶车辆。我们正在开发一个实际解决方案，相信许多汽车设计师有兴趣了解该解决方案，并发现该解决方案的优势。”

Ricardo技术与产品总监Adrian Greaney称：“半导体技术是逆变器系统效率的关键，在电动汽车性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率，堪称一项推动性的技术。除了增加行使里程，它还有助于缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量，从而提供更大的动力系统设计灵活性，并有助于减轻车辆重量。从系统层面看，该设计还有许多优势，Ricardo非常高兴能够与Nexperia就GaN FET器件展开合作。”

更多关于符合AEC-Q101标准的Nexperia GaN FET器件及产品组合的信息，请访问www.nexperia.com/gan-fets，并访问https://v.youku.com/v_show/id_XNDU1NDU3MjEzMg==.html?spm=a2hzp.8244740.0.0

观看视频。5月5日至7日，在德国纽伦堡举办的PCIM展览上，设计师将能够在9-541号展台看到新款逆变器，并与Nexperia和Ricardo的专家讨论其特性。

关于Nexperia

Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件的高产能生产专家，其器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia非常注重效率，能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求：年产量高达900亿件。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面已经成为行业基准，拥有业内最小尺寸的封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，安世半导体一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

Nexperia：效率致胜。

关于Ricardo plc

Ricardo plc是一流的全球性跨行业咨询公司，业务范围涵盖工程、技术、项目创新与战略。我们的员工致力于提供通过重点关注高效率、低排放、领先产品创新和稳健战略实施的优质工程解决方案，从而为客户提供出色的价值。一个世纪以来，我们通过技术实现卓越与价值，客户包括全球主要的运输原始设备制造商、供应链组织、能源公司、金融机构和政府。我们秉承尊重、诚信、创意、创新和热情的企业价值观，帮助客户实现可持续增长和商业成功。Ricardo入选FTSE4Good指数，该指数对展示出强大的环境、社会和治理(ESG)实践的全球公司表示肯定。更多详情，请访问www.ricardo.com。