半导体材料大突破,首只国产ArF光刻胶通过验证
2020-12-18
来源:全球半导体观察
12月17日,江苏南大光电材料股份有限公司(以下简称“南大光电”)发布公告称,公司控股子公司宁波南大光电材料有限公司(以下简称“宁波南大光电”)自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。
认证评估报告显示,“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证,宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”
公告指出,“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过,标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。
根据此前的计划,该项目达产后将达到年产25吨193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,以满足集成电路行业的需求。
ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料,可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等)。
随着国内IC行业的快速发展,自主创新和国产化步伐的加快,以及先进制程工艺的应用,将大大拉动光刻胶的用量。
南大光电表示,本次验证使用的50nm闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。
南大光电还提示,ArF光刻胶产品通过客户的认证,与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。尤其是ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善,这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。
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