1月19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房完成封顶。标志着湖南三安第三代半导体产业园项目(一期)Ⅰ标段主体工程完工，预计今年6月份有望实现全面投产。

此前，湖南三安半导体项目（一期）Ⅰ标段已相继完成M3器件封装厂房、M4碳化硅长晶厂房和溅镀厂房位主体结构封顶。

据了解，湖南三安半导体项目总占地面积1000亩，总投资160亿元，项目分两期建设，主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等。

湖南三安半导体有限责任公司项目管理部经理张博若表示，项目全部建成后预计可实现年产值120亿元以上，可直接提供4500个就业岗位，并带动上下游配套产业产值预计超1000亿元，提供近10000个就业岗位。

第三代半导体材料及器件已成为当前全球半导体材料产业的前沿和制高点之一，引发了新一代科技变革，属于国家重点支持的战略性新兴产业。项目的实施将推动长沙先进半导体产业的壮大，助力长沙在化合物半导体领域形成国内领先地位。