超宽禁带半导体氧化镓材料及器材生产商「铭镓半导体」成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延衬底和高频大功率器件的制造，是国内第一家将半导体氧化镓材料产业化落地的企业。公司创始人兼CEO陈政委是国立日本佐贺大学九州同步光辐射中心的工学博士，在日本攻读硕士和博士期间便选择了氧化镓材料方向。团队还包括来自东京大学、九州大学、东京工业大学的博士或教授以及来自露笑科技、森霸传感的拥有丰富产业经验的总监型高级工程师。

　　半导体材料位于半导体产业链的上游，经历了三次迭代，从第一代的硅、第二代的砷化镓和砷化铟到第三代的碳化硅和氮化镓。硅因为导热性良好、自然储备丰富、价格低廉，得到了广泛的应用。但因为硅禁带宽度窄、击穿电场较低，在高频、大功率器件领域应用受限。于是禁带宽度更宽、击穿电场更高、电子迁移率更高、抗辐射能力更强、适用于高频、大功率器件的第二代、第三代材料开始进入市场，得到应用。

　　氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优良的化学和热稳定性，在高温、大功率、抗辐射电子器件领域有广泛的应用前景。2012年日本首先实现2英寸氧化镓材料的突破，跟据「铭镓半导体」提供的数据，氧化镓的击穿场强是第三代半导体材料碳化硅的3.2倍，巴利加优值是其10倍左右。氧化镓禁带宽度能达到4.9-5.3eV，而成本仅为碳化硅的1/8。

　　「铭镓半导体」的氧化镓材料将被应用于新能源汽车、汽车充电桩、工业电机、固态能源转变、国防军工等领域。

　　36氪获悉，「铭镓半导体」目前营收规模数百万元，毛利率高于70%。预计今年8月其2英寸产品就能实现量产，2021年营收有望达到2000万元。

　　半导体材料行业需要大量的前期投入，工艺要求较高且突破较难，行业人才缺乏，具有较高的竞争壁垒。由于生产难度大、技术壁垒高和进入时间晚，我国的碳化硅、硅、氮化镓等半导体材料落后于国际厂商，半导体材料的国产化率较低，市场基本被欧美日等国和中国台湾地区的企业所垄断，进口依赖较强。

　　日本方面，京都大学投资的Flosfia、NICT和田村制作所投资的Novel Crystal是最领先的氧化镓供应商。日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持，已投入超过8560万美元，大力发展日本氧化镓材料及功率半导体器件产业。另据日本富士经济预测，2025年日本本土氧化镓功率半导体器件市场将达到700亿日元（约合42亿人民币）并以指数级逐年增长，日本三菱电机、丰田、FUJIMI、田村、电装、光波等纷纷投入大量人力物力进入氧化镓赛道。

　　陈政委认为半导体氧化镓材料将是我国半导体材料领跑行业的重要机会，预计需求会在未来5-10年爆发。目前「铭镓半导体」在半导体氧化镓材料领域位于国际第一梯队，领先欧美3-5年，预计在2022年或者2023年便能接近日本的技术水平。

　　半导体氧化镓材料的主要应用领域是大功率电子器件，与碳化硅的应用场景重合。目前市场上的半导体碳化硅材料生产商有山东天岳、天科合达、同光晶体等企业。半导体碳化硅的下游应用企业较为集中，包括比亚迪、中车、国家电网等。

　　据悉，「铭镓半导体」正在寻求新一轮融资。陈政委告诉36氪，此轮融资资金将用于扩大产能、增加研发投入、拓展市场等方面。