突破”卡脖子"难关,道阻且长,但行则将至。

光刻胶,又称光致抗蚀剂,是整个光刻工艺中最核心的材料之一。在芯片生产中,光刻胶是必不可少的材料。但目前,光刻胶的国产化程度很低,国内晶圆厂商较多依赖进口。

据悉,根据不同技术类别,国内低端的g线/i线光刻胶自给率约为20%,KrF光刻胶自给率不足5%,而高端的ArF光刻胶完全依赖进口,也因此成为中国急需攻克的半导体卡脖子技术之一。

而近日国产光刻胶行业传来了好消息。国内厂商南大光电宣布,该公司研发的高端ArF光刻胶已经获得了国内某企业的认证,可用于55nm工艺制造。

5月31日晚间,南大光电发布公告称,其控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继去年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

据悉,虽然本次南大光电的ArF光刻胶通过的是55nm工艺认证,但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广,可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺,目前广泛应用于高端芯片制造(包括逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等)。

目前,受全球“芯片荒”刺激,进口芯片普遍涨价,而国内本土晶圆厂也收获了大量订单,这使得芯片生产中所需的上游原材料更是供不应求。受此利好,国产光刻胶也接到了不少订单。

不过,在极高的技术壁垒下,光刻胶市场仍常年处在美国和日本几家公司的垄断格局之下。据悉,目前JSR、信越化学等TOP5厂商占据全球87%的份额。

国外垄断化加上光刻胶本身的保质期较短(6-9个月),一旦遇到突发事件,对我国芯片制造就会造成负面影响。因此,光刻胶的国产化势在必行,而此次南大光电的技术突破,显然为此开了个好头。