近日，山西省商务厅发文指出，第三代半导体SiC实验室项目方负责人修雷明与阳城开发区初步达成了意向性合作协议。

　　△Source：山西省商务厅网站截图

　　据悉，该项目总投资175亿元，占地300亩。启动资金8000万元，建设实验室、测试中心、长晶房、办公区等约2000平方米，形成月产5000片碳化硅功率芯片制造能力。项目核心团队是由著名半导体技术专家组成，掌握250多个专利，覆盖原材料制造、芯片制造、IC设计、SiP封装等领域，处于全球领先技术水平。

　　至于该项目的投资方及其他具体细节，文章中则并未提及。

　　碳化硅是全球最先进的第三代半导体材料，具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、军工、核能等极端环境应用领域里有着不可替代的优势。

　　“十三五”以来，山西省第三代半导体材料产业不断发展壮大，山西省省工信厅新材料工业处处长闫林此前介绍，山西在第三代半导体碳化硅单晶衬底材料处于国际领先水平，2020年销售3万余片，国内市场占有率达50%以上。

　　据悉，山西省拥有国内最大的碳化硅材料供应基地——中国电科（山西）碳化硅材料产业基地。一期项目于2020年正式量产，一期项目达产后，将形成年产18万片N型碳化硅单晶晶片、5万片高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的产能。不仅实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产，高纯碳化硅粉料纯度和晶体良品率亦居于国际先进水平。

　　作为央地合作的重大战略布局，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地启动后，将彻底打破国外对我国碳化硅封锁的局面，实现碳化硅的完全自主供应。

　　此外，成立于2018年10月的山西烁科晶体有限公司亦实现了5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。据山西日报此前报道，山西烁科晶体碳化硅半导体材料产能占据国内第一，市场占有率超过50%。该公司总经理今年5月在接受中央电视台《新闻联播》采访时还透露，正在积极布局第四代的半导体材料。

　　《山西省“十四五”新材料规划》亦提到，“十四五”期间，重点发展碳化硅、砷化镓、蓝宝石等材料，加快引进器件设计、制造、封装、测试、应用等产业链项目入晋落地，建成国家重要的半导体研发生产基地。