为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。

　　连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 （PFC） 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 （GaN） 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。

　　意法半导体的 MasterGaN 概念简化了GaN 宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。新产品集成两个 650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。因为 GaN 晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小 80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。

　　MasterGaN3 的两个 GaN 功率晶体管的导通电阻值 （Rds（on））不相等，分别为 225mΩ 和 450mΩ ，使其适用于软开关和有源整流变换器。在 MasterGaN5 中，两个晶体管的导通电阻值 （Rds（on））都是450mΩ，适用于 LLC 谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。

　　与MasterGaN产品家族的其他成员一样，这两款器件都有兼容3.3V 至 15V 逻辑信号的输入，从而简化了产品本身与 DSP处理器、FPGA 或微控制器等主控制器和霍尔传感器等外部设备的连接。新产品还集成了安全保护功能，包括高低边欠压锁定 （UVLO）、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚。

　　每款MasterGaN产品都有一个配套的专用原型开发板，帮助设计人员快速启动新的电源项目。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5开发板都包含一个单端或互补驱动信号发生器电路。板载一个可调的死区时间发生器，以及相关的设备接口，方便用户采用不同的输入信号或 PWM 信号，连接一个外部自举二极管来改进容性负载，为峰流式拓扑插入一个低边检流电阻。

　　MasterGaN3 和 MasterGaN5 现已量产，采用针对高压应用优化的9mm x 9mm GQFN 封装，高低压焊盘间爬电距离为 2mm。