TrEOS二极管为更强劲的USB4TM数据传输提供行业领先的插入损耗和回波损耗特性

　　基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件，即具有极低钳位和电容的双向静电放电（ESD）保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术，可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM（高达2 x 20 Gbps）数据线拥有最佳信号完整性。

　　Nexperia高级产品经理Stefan Seider说道：“因为USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限，所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件，希望为设计工程师提供支持。通过提供这两种器件选型，工程师可以在ESD电压钳位（保护级别）和RF性能之间找到平衡。”

　　PESD5V0R1BDSF针对低钳位进行了优化，并且能提供极低的插入损耗和回波损耗，在10 GHz时分别为？0.28 dB和？19 dB。另一方面，PESD5V0R1BCSF针对RF性能进行了优化，其插入损耗和回波损耗在10 GHz时分别为-0.25 dB和-19.4 dB。这使其成为插入损耗和回波损耗预算更为有限的应用的理想选择。

　　两种器件都采用超低电感DSN0603-2 （SOD962-2）无铅引脚封装，管脚尺寸为标准的0.6 mm x 0.3 mm、厚度为0.3 mm并且具有优化回波损耗的焊盘。对于USB4TM，接收器（Rx）输入也必须具有交流耦合电容。PESD5V0R1BxSF器件的额定电压VRWM（>2.8 V）允许其可以直接放置在连接器后面，这是在保护电路的电容与实现出色的系统级ESD性能的首选位置。这个额定电压使其能向下兼容通过USB Type-C?连接的所有标准。其中包括USB4TM、USB 3.2、旧版USB3.x以及ThunderboltTM和HDMI2.1?（HDMI?交替模式）数据线，支持高达48 Gbps （4 x 12）的HDMI2.1数据速率和高达40 Gbps （2 x 20）的ThunderboltTM数据速率。同时，TrEOS技术能够确保极低的ESD钳位电压以保护敏感的收发器。