众所周知，在芯片生产过程中，光刻机是绕不过的设备，如果从整个生产来看，光刻机的成本占总设备成本的30％。

最关键的是，当进入到7nm工艺后，必须要用到EUV（极紫外线）光刻机，这种光刻机只有荷兰ASML能够生产，且产能有限，厂商们要买到，并不容易，要排除，且ASML要优先供应台积电、三星、intel这几家股东。

所以一直以来，大家都在寻找其它办法，比如不用EUV光刻机，能不能生产7nm及以下的芯片？事实上，也有厂商是这么想并打算这么干的，因为通过DUV光刻机进行多重曝光，理论上也能达到7nm。

但这种办法非常复杂，对技术要求非常高，同时良率低，晶圆的损耗比较大，所以如果能够买到EUV光刻机，就不可能用这种办法，这种办法生产出来的芯片，完全没有市场竞争力。

而近日，日本厂商搞出了另外一种办法，那就是不采用DUV多重曝光，而是开发了一种新的NIL制程技术，这种技术不需要EUV光刻机，就可以将芯片制程推至5nm。

这家厂商就是日本的存储大厂铠侠Kioxia（东芝），它与日本的光学／半导体厂商佳能，还有光罩／半导体厂商大日本印刷株式会社（DNP），经过了4年的研发，终于研发出了纳米压印微影（NIL） 的量产技术。

目前铠侠已将其应用到了15nm的NAND闪存制造上了，并表示到2025年应该可以应用到5nm的芯片制造上。

铠侠表示，NIL 技术与EUV光刻技术相比，可以大幅度的减少耗能，转化效率高，耗电量可压低至EUV 技术的10％，同时NIL技术下的设备也便宜，与ASML的EUV光刻机相比，投资可降低至仅有EUV 设备的40％。

不过也有专业人士指出，NIL技术也许能够推进芯片制程至5nm，但可能更适应于NAND这种3D堆叠的闪存芯片，不一定适用于所有的芯片。

不过合作厂商之一的佳能，则表示要努力的将NIL 量产技术广泛的应用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上。

对于这个技术，不知道大家怎么看？如果真的能够推进至5nm，且用于除NAND之外的通用芯片，那么ASML就必将走下神坛。

甚至从一定程度而言，也是国产芯的好消息，你觉得？对于这样的弯道超车的技术，真希望它能够多一点，并且是中国厂商研发的就好了。