今日，澜起科技宣布其DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产。该系列芯片是DDR5内存模组的重要组件，包括寄存时钟驱动器 （RCD）、数据缓冲器 （DB）、串行检测集线器 （SPD Hub）、温度传感器 （TS） 和电源管理芯片 （PMIC），可为DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等内存模组提供整体解决方案。

　　随着信息技术的飞速发展，内存技术现已发展至DDR5世代。作为业界领先的内存接口芯片组供应商和JEDEC内存标准的积极贡献者，澜起科技专注于内存接口技术的持续创新，这次推出的DDR5第一子代内存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率达4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；接口电压低至1.1V，能耗更低；采用创新的信号校准协议及均衡技术，大幅提高了内存信号完整性。

　　与DDR4内存模组相比，DDR5内存模组在架构上进行了革新，除配置内存颗粒和内存接口芯片之外，还需要搭配其它专用配套芯片。澜起科技精准把握这一技术趋势，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub这三款配套芯片，可为DDR5内存模组提供多通道电源及管理、多点温度检测、I3C串行总线及路由等辅助功能。这些配套芯片与内存接口芯片一起，共同助力DDR5内存模组在速度、容量、节能及可靠性等方面实现全面提升，满足新一代服务器、台式机及便携式电脑对内存系统的更高要求。

　　10月27-28日，作为英特尔公司多年的生态伙伴，澜起科技应邀参加了英特尔举办的在线创新峰会 （Intel Innovation），并在英特尔官网布置虚拟展台，以视频、图片和宣传彩页等形式向业界展示了这五款芯片及其应用场景。

　　澜起科技在英特尔创新峰会布置虚拟展台

　　澜起科技的销售及商务拓展副总裁Geof Findley表示：

　　“

　　澜起在内存接口芯片领域深耕多年，基于DDR2、DDR3、DDR4这几代产品的成功研发和量产经验，我们非常高兴能为英特尔最新一代的服务器和客户端产品提供性能更强、可靠性更高的DDR5内存接口解决方案。

　　”

　　英特尔公司数据平台集团副总裁兼内存和IO技术总经理Carolyn Duran表示：

　　“

　　英特尔与澜起科技在内存领域已密切合作了十多年，热切期待在DDR5内存世代继续与澜起科技展开深度合作。

　　”

　　展望未来，澜起科技将以自身在内存接口领域的深厚积累和生态优势，持续为客户提供卓越的内存接口产品与服务，为数据中心、云计算及人工智能行业创造更大价值！