开发高精度制造半导体碳化硅的技术，目标2025年实现量产
2021-12-01
来源：全球半导体观察整理
据日经中文网消息，11月30日消息，日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品，2025年实现量产。
据介绍，采用SiC基板的半导体已在美国特斯拉部分主打纯电动汽车“Model 3”中负责马达控制等的逆变器上使用。丰田也在2020年底推出的燃料电池车“MIRAI”的新款车上采用电装生产的SiC。
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