6月6日，澜起科技发布了投资活动记录表。

2021年第四季度，澜起科技DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片已正式量产出货，并在2022年第一季度持续出货。

关于DDR5相关产品的渗透率，分服务器端和桌面端两个维度来看：服务器端，在支持DDR5的服务器CPU上量以前，预计DDR5行业渗透是缓慢提升的过程，更大的渗透率爬坡预计在支持DDR5的服务器CPU规模上量后；PC端／笔记本电脑端，支持第一代DDR5的桌面端平台在2021年四季度已经发布。

同时，根据市场主流CPU厂家的规划，今年年底前市场可能会推出支持下一代DDR5的桌面端平台，这些因素将加速桌面端从DDR4向DDR5升级。

提及DDR5内存接口芯片一共有几个子代，澜起科技表示：从JEDEC已经公布的相关信息来看，DDR5内存接口芯片已经规划了三个子代，支持速率分别是4800MT／s、5600MT／s、6400MT／s，预计后续可能还会有1～2个子代。

行业预期，在DDR5世代初期，内存接口芯片子代间的迭代速度有可能比DDR4世代更快。2022年5月9日，公司宣布在业界率先试产DDR5第二子代RCD芯片。预计今年除了DDR5第一子代产品逐渐上量以外，DDR5第二子代内存接口芯片还会有一定量的样品需求。

DDR5子代迭代速度的加快对于公司有正向意义：一是按照DDR4世代子代迭代的价格规律来看，新子代的产品因技术和性能升级，其起始销售价格较上一子代有所提高，能够提振产品的平均价格；二是作为细分领域领跑者，公司在行业组织JEDEC中牵头制定了DDR5第一子代和第二子代内存接口芯片的产品标准，体现了公司的行业地位，同时有助于保持公司的研发领先地位。

此外，公司2022年将持续投入研发创新，研发工作重点如下：

1、稳步推进现有产品的迭代升级及研发：

（1）互连类芯片产品线：完成DDR5第二子代内存接口芯片、PCIe 5．0 Retimer量产版本研发，做好量产前的质量认证等准备工作。

（2）津逮?服务器平台产品线：完成第四代津逮?CPU研发，并实现量产；

（3）AI芯片：完成第一代AI芯片工程样片流片。

2、启动多项新产品的研发设计工作：

包括CKD芯片、MCR RCD／DB芯片、MXC芯片，目标是在2022年底之前完成上述三大新产品第一代产品工程样片流片。同时，公司新推出的《2022年限制性股票激励计划（草案）》中设定2023年考核指标为：上述三大新产品完成量产版本研发并实现出货。

（1）CKD芯片：用于新一代桌面端台式机及笔记本电脑的DDR5 UDIMM和SODIMM。

（2）MCR RCD／DB芯片：用于服务器和数据中心的高带宽内存模组。

（3）MXC芯片：用于服务器的内存扩展及内存池化。