在台积电和三星的3nm工艺量产云里雾里的时候，Intel宣布它的Intel 4工艺也将在今年下半年量产，如此一来台积电和三星的3nm工艺领先优势可能成为泡影。

近几年来台积电和三星几乎保持着1－2年升级一代芯片制造工艺的脚步，到如今它们投产的最先进工艺已是5nm，而Intel则在去年底才投产10nm；台积电和三星在今年下半年量产3nm，而Intel则在今年下半年量产7nm。

从纳米工艺的数字来看，Intel无疑已远远落后于台积电和三星，不过这仅仅是它们在命名方面的差异，然而在芯片制造工艺的实际性能方面，其实差距并没有如名字那么大，Intel甚至还稍微领先于三星。

对于芯片制造工艺的性能，去年台媒digitimes曾根据晶体管密度给出了不同的评论，对Intel、台积电、三星三家芯片制造厂的工艺做了比较，根据晶体管密度，Intel的10nm工艺达到1．06亿个晶体管每平方毫米，而台积电、三星的7nm工艺才分别为0．97、0．95亿个晶体管每平方毫米。

并且越到后面的先进工艺，三者的差距就越大，digitimes认为Intel的7nm工艺与台积电的5nm工艺相当，而三星的5nm工艺则比台积电落后四分之一，预计三星的3nm工艺晶体管密度才能达到台积电5nm工艺和Intel 7nm工艺水平。

Intel在芯片制造工艺命名上吃了亏，因此Intel新任CEO基辛格上任后也开始依照台积电和三星的命名规矩，对它的芯片制造工艺改名，10nm工艺被改名为Intel 7工艺，7nm工艺则被改名为Intel 4工艺。

目前Intel、台积电、三星等在芯片制造工艺上展开了激烈的竞赛，Intel预计在今年下半年量产Intel 4工艺后只比台积电稍微落后，却比三星领先，正力争提前量产Intel 20和Intel 18A工艺，力求在2025年量产Intel 18A工艺反超台积电。

台积电也不甘示弱，台积电加速了它的2nm工艺进程，预计2024年量产2nm，比原计划提前一年；当下的3nm工艺研发团队立即转入研发1．4nm工艺，力争在2025年量产，以保持对Intel的领先优势。

但是Intel背后有美国的支持，为了支持Intel加速先进工艺研发，目前美国计划将520亿美元的芯片补贴优先给包括Intel在内的美国企业，台积电和三星顺应美国要求后在美国设厂却可能无法得到这笔补贴；同时ASML也在美国的要求下扩大它在美国的工厂，并优先将第二代EUV光刻机交给Intel。

在诸多因素影响下，孤军奋战的台积电还能否加速2nm、1．4nm工艺研发就存在疑问，面对种种困难，台积电如今已悄悄降低了对美国芯片的依赖度，今年一季度中国大陆芯片贡献的营收占比达到了11％，较去年的6％大幅提升，似乎台积电认识到了中国大陆芯片的重要性，希望依靠中国大陆芯片制衡美国芯片。