6月30日，三星电子正式宣布，基于3nm全环绕栅极（Gate－All－AroundT， 简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

三星电子首次实现GAA“多桥－通道场效应晶体管”应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

三星电子Foundry业务部总经理崔时荣表示：“一直以来，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。例如：三星的第一个High－K Metal Gate （HKMG） 工艺、FinFET 以及 EUV 等。三星希望通过率先采用3nm工艺的‘多桥－通道场效应晶体管’，将继续保持半导体行业前沿地位。同时，三星将继续在竞争性技术开发方面积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”

据了解，3nm GAA 技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA 技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。

此外，GAA 的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO） 非常有利，有助于实现更好的PPA 优势。与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45％，性能提升23％，芯片面积减少16％；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50％，性能提升30％，芯片面积减少35％。

任谁也没想到，如今2022年转眼已经过去一半，台积电3nm量产的消息迟迟未至，却让三星抢了先。显然，这对于台积电来说恐怕是不愿看到的一件事情。

对此，有网友表示：“希望三星可以给台积电一点压力，现在台积电几乎没有什么对手，接连不断的涨价太随意了，跟儿戏一样，但厂商都不敢得罪台积电。别说普通厂商，就是苹果现在离开台积电也玩不转，这就是实力，没办法的事情。”

根据TrendForce 的数据，今年第一季度，台积电以53．6％的全球代工市场份额位居第一，三星以16．3％的份额紧随其后。虽然还难以追赶台积电的步伐，但也不得不承认三星在芯片领域确实很优秀。