据韩国媒体TheElec爆料称，三星电子、SK海力士已大幅下修半导体硅片的采购量，这也预示着这两家存储芯片大厂或将减产。

报道称，三星、SK海力士在2022年第四季已经分别与半导体硅片供应商讨论上述议题。

目前硅晶圆有五大供应商，分别是日本的信越化学(Shin-Etsu)、胜高(Sumco)，中国台湾的环球晶圆，德国的世创(Siltronic AG)以及韩国的SK Siltron。

过去两年疫情期间，半导体硅片供应吃紧，虽然全球经济2022年开始下行，半导体硅片供应也依然相对吃紧。这主要是因为半导体硅片属于最上游的半导体材料产业，消费类市场需求下滑最先影响的是直接卖产品给顾客的终端产业，对于最上游产业的冲击较晚。去年三季度众多芯片厂商净利下滑的情况下，半导体硅片厂商却仍维持了增长。

SK海力士此前已宣布，计划在2023年将资本支出同比削减50%(估计为17.47万亿韩元)，并削减DRAM和NAND的产量(主要是传统产品)。

此外，铠侠已于今年10月宣布，旗下位于日本的两座位NAND闪存工厂从10月开始晶圆生产量将减少约30%，以应对市场变化。

12月21日，美光在公布了糟糕的最新一季财报后，也宣布将2023年资本开支减少到70-75亿美元，其原计划是120亿美元，投资额度大幅减少近40%。同时还将减少20%的NAND Flash和DRAM的晶圆产出。此外，美光还宣布全球裁员10%，预计将裁员4800人。

SK海力士此次大幅减少其内部的团队数量，并提拔年轻高管，似乎也是为了更好的应对接下来存储市场的挑战。

柳副社长还表示：“开发出业界速度最快的 MCR DIMM 充分彰显了 SK 海力士 DDR5 技术的又一长足进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固在服务器 DRAM 市场的领导地位。”

英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 博士表示，英特尔与 SK 海力士在内存创新、针对服务器的高性能、可扩展的 DDR5 领域处于领先地位，在同一梯队的还有其他一些主要的行业合作伙伴。

“此次采用的技术源于英特尔和关键业界合作伙伴多年的共同研究，极大提高了英特尔 Xeon 处理器可提供的带宽。我们期待该技术能够应用到未来的英特尔 Xeon 处理器上，支持业界的标准化和多世代开发。”

瑞萨电子副总裁兼 Memory Interface 部门长 Sameer Kuppahalli 表示，该数据缓冲器从构思到实现产品化历经三年，“对于能够携手 SK 海力士和英特尔将该技术转化为优秀的产品，我们深感自豪。”

三星、SK海力士三季度来自美国的营收显著增加，分别环比增加了2.0724万亿韩元、9201亿韩元。SK海力士来自美国的营收占比从二季度的51.32%增长至56.16%，但三星却从二季度的42.07%下降至39.60%，但仍比去年同期增加了3.01个百分点。

三星的半导体解决方案部门包括存储器、逻辑和代工业务部门，预计2023年营业利润为13.1万亿韩元。如果达到这一目标，三星半导体部门员工预计将在 2023 年获得相当于其年薪 5% 至 11% 的奖金，该奖金将于 2024 年 1 月支付。

报导引用相关知情人士的说法，三星预计在位于韩国平泽的P3工厂增加DRAM 生产设备，届时12 吋晶圆月产能将可达7 万片，高于目前P3厂DRAM产线的每月2万片产能。截至第3季，三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片，以增产5万片计算，增幅约7.5%。三星还将使用新的设备生产12nm级DRAM。另外，三星还计划把P3厂的晶圆代工产能提高到3 万片，并增加4nm产能，强攻先进制程。截至第3季，三星的每月晶圆代工总产量为47.6万片。

为应对DRAM与晶圆代工先进新产能需求，三星还将新增至少10台极紫外光(EUV)光刻机，目前三星已有约40台EUV光刻机。三星在全球DRAM市场市占率节节攀升，从2021年第4季的41.9%，今年第2季扩大到43.4%，稳居龙头。

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