在三星、SK 海力士及美光扩大减产下，NAND Flash wafer 涨势强劲，随着终端传统备货旺季进入尾声，存储器模组厂想逢低布局，但减产后供给减少，反而推高NAND Flash 需求，加剧价格反弹力道，存储器模组厂只能接受原厂涨价，在原厂还会继续涨价的预期心理下，模组厂持续抢货，推升12 月价格涨幅。

存储器大厂三星、SK 海力士和美光先前释出大规模减产规划。三星从第二季起开始降低NAND Flash 产量，9 月再扩大幅度至总产能50%，主要集中在128 层堆叠以下产品，也为同业奠定涨价信心。

由于存储器大厂减产幅度超乎预期，加上客户端库存普遍偏少，促使NAND Flash 价格持续上涨。然而，今年下半年Mobile DRAM 及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，此外中国手机品牌扩大生产目标，短时间需求涌入，推动第四季合约价格上涨。

此波价格上涨最剧烈的莫过于NAND Flash wafer 的价格，根据TrendForce 的最新调研结果，从产业现况来看，模组厂库存因客户追单而快速落底，导致模组厂转而向原厂要求扩大供应，然而，原厂持续维持减产策略，供不应求致使第四季NAND Flash wafer 价格反弹强烈，从TrendForce 的数据来看，NAND Flash wafer 11 月单月涨幅超过25%。

业内人士透露，在目前供给有限，且需求大幅增加的情况下，模组厂只能接受原厂的强势涨幅。而业界因为预期原厂会持续涨价，导致大家一直处于抢货态势。

从目前市况来看，TrendForce认为12 月NAND Flash 在供给吃紧下，价格将持续推升。但第一季价格是否持续大幅拉升，依旧要看原厂减产策略与需求状况而定。

据悉，业界传出，有原厂因下游拉货状况火热，已开始考虑增加产能。一旦原厂提早增产，加上需求表现未明显好转，价格上涨幅度将明显受到限缩。