11月4日消息，据《日经亚洲》报导，全球最大的晶圆代工厂商台积电（TSMC）年底前会收到ASML最先进的High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机，每台售价超过3.5亿美元，能使半导体制造商制造线宽更小的芯片。

此前台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，虽然对High NA EUV能力印象深刻，但设备价格过高。台积电依靠现有EUV能力可支持芯片生产到2026年底，届时其A16制程技术也将依靠目前的标准型EUV光刻机来量产。

据介绍，A16将结合台积电的超级电轨（Super PowerRail）构架与纳米片晶体管，预计于2026年量产。相较于N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。

最新的消息显示，台积电考虑用High NA EUV微影曝光机生产A10制程芯片，比其计划于2025年底2nm领先约两代，这也代表了2030年后才能看到这种机器大规模量产。

相对于台积电的对High NA EUV光刻机采用的谨慎态度，希望通过High NA EUV光刻机来加速先进制程工艺研发，以实现超越台积电的英特尔则相对比较激进，今年一季度英特尔俄勒冈州晶圆厂就接收了全球第一套High NA EUV光刻机，截至目前该晶圆厂已经完成了两台High NA EUV光刻机的安装。英特尔将会先将其用于Intel 18A制程的相关测试，以积累经验，未来将被用于Intel 14A的量产。

消息人士还表示，ASML的另一竞争对手三星也将于2025年第一季将安装第一套High NA EUV光刻机。

当然，取得ASML最先进的为High NA EUV光刻机并不意味着代表企业就能顺利的进入“埃米级”制程领域。相反的，目前各大半导体制造企业正在投资大量经费，用以开发先进封装技术，已进一步在封装中放入更多的芯片，带动芯片的性能。因此，即便High NA EUV较目前的标准EUV具备更精细的分辨率效果，但芯片制造商仍必须进行进一步的设计调整，进而生产更先进的芯片。

另外，High NA EUV光刻机体积比目前的标准EUV体积大得多，高度也更高，这也使得一些新建的晶圆厂才能够满足该光刻机的安装要求。

目前，包括英特尔、三星和台积电是市场中利用ASML High NA EUV来开发更先进芯片的“唯三”企业。ASML表示，当前仅收到了10到20台这些价值数亿美元的设备订单。也因为市场需求的稀少，ASML High NA EUV光刻机的成本在较长时间内将难以降低，后续更新一代的光刻机的研发可能也将会受到影响。