氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布推出采用RQFN 5x6 封装的CoolGaN G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。

（CoolGaN G3 100V晶体管与WRTFN-9-2组合）

　　英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：“这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。

　　CoolGaN G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为 1.1 mΩ；CoolGaN G3 80 V将采用 3.3x3.3 RQFN 封装，典型电阻为2.3 mΩ。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局，而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。

　　此外，这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。

　　供货情况采用 RQFN 封装的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶体管样品将从2025年4月开始提供。