今年2月下旬日，DRAM大厂美光科技（Micron Technology）宣布，它已经成为业内售家向合作伙伴提供基于极紫外光（EUV）光刻技术的1γ （1-gamma）制程的第六代 （10nm 级） DRAM 节点的 DDR5 内存样品的公司。不过，美光并未透露其1γ制程使用多少层EUV光刻。

根据韩国媒体《朝鲜日报》报道，美光送样的1γ DDR5内存芯片，仅仅只用一层EUV光刻，这是由于美光希望通过减少EUV使用，以加速量产先进制程DRAM，并降低成本。

报道称，美光选择减少依赖EUV，因而更多的关键层还是基于成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）制程。ASML数据显示，下代深紫外光刻（DUV）系统为193nm波长氩氟激光，可达成38nm特征尺寸图案化。虽然EUV的13.5nm波长精确度更高，但成本也更高。

美光表示，EUV技术未完全稳定，仅必要时使用。短期可能提升生产速度，但长期可能会影响芯片良率和性能。

相比之下，韩国DRAM大厂三星和SK海力士DRAM目前则更依赖于EUV制程。目前三星2020年起就采用EUV制程来生产DRAM，其第六代1C 10nm级DRAM使用了超过五个EUV光刻层。SK海力士则是于2021年导入了EUV制程，下代1C 10nm级DRAM也是类似策略。

虽然，美光减少对于EUV光刻的依赖，短期内可节省成本，但长期可能会面临技术瓶颈。市场人士指出，ArFi制程需更多步骤，可能导致良率下降，EUV层数增加，超过三层后技术难度也显著增加。