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美国施压日荷 拟对华禁售两类半导体设备

2026-04-07
来源:芯智讯

4月3日消息,据彭博社报道,美国共和党众议员迈克尔·鲍姆加特纳(Michael Baumgartner)联合两党议员,于当地时间周四向众议院提出了一项名为《硬体技术管制多边协调法案》(MATCH Act)的提案,希望强化对荷兰ASML和日本TEL等盟友国家的半导体设备制造商的对华出口,以进一步遏制中国半导体制造业的发展。

美国参议院方面,议员皮特·里基茨(Pete Ricketts)与安迪·金(Andy Kim)也将同步提出配套版本。知情人士称,面向参议院的“MATCH Act”版本预计将于本月晚些时候推出。

MATCH Act主要内容

1、MATCH Act对“受关注国家”(包括中国)全面禁止出口关键半导体制造设备(SME),具体包括:

①浸没式深紫外(DUV)光刻设备

目前全球仅荷兰ASML和日本尼康(Nikon)能生产浸没式DUV光刻机,这类设备通过多重曝光最高能够支持7nm制程芯片的制造。

在美国的施压下,荷兰政府曾在2023年出台了有关先进半导体设备的额外出口管制的新条例,限制了部分先进的浸没式DUV的对华出口。但ASML得益于此前从荷兰政府那里所取得的出口许可证,依然在2023年底之前向大多数的应用于次关键和成熟制程的中国晶圆制造商出口了一系列浸没式DUV光刻系统,包括NXT:1980Di,以及被禁的NXT:2050i、NXT:2100i高阶浸没式DUV光刻系统等。即便该许可证失效后,其NXT:1980Di依然是可以对华出口的。

②低温蚀刻设备

低温蚀刻设备是3D NAND、先进封装等高深宽比工艺的核心工具。目前在高端刻蚀设备领域主要供应商为美国应用材料和泛林集团,以及日本的TEL。

其中,日本TEL拥有完整的刻蚀产品线。比如其主力刻蚀设备(如用于存储器生产的超高深孔刻蚀机)在工艺过程中广泛采用了低温技术来控制化学反应、保护光刻胶并实现高深宽比。

2、定向打击五家关键中企

MATCH Act 计划将SMIC(中芯国际)、YMTC(长江存储)、CXMT(长鑫存储)、Huahong Group(华虹集团)、Huawei(华为) 五家芯片制造中企及其子公司和关联企业列入“受管制设施”,实施全面出口限制。

需要指出的是,在此之前,除CXMT之外,其他四家中企都已经被列入“实体清单”。而最新的限制措施则是“实体清单”的升级版,限制更为严格,不仅全面禁止出口,还将禁止任何维修服务和技术支持。除了以上五家制造企业之外,中微公司(AMEC)、屹唐半导体(E-Town)、北方华创(NAURA)、拓荆科技(Piotech)、盛美半导体(ACM)、至纯科技(PNC)、中科飞测(Skyverse)、上海微电子(SMEE)、芯源微电子(Kingsemi)、华海清科(Hwatsing)等众多中国半导体设备企业也被列入其中。

3、强制日荷等盟友在150天内对齐出口管制政策

MATCH Act要求日本、荷兰等盟国在150天内,将其对华半导体设备的出口管制措施与美国最新的MATCH Act的出口管制政策对齐。

比如,在设备维护和技术支持方面,对被列入实体清单的中企,美企一律是被禁止向他们提供维修和技术支持,非实体清单内的企业则是不受影响的。但是,在美国2022年10月出台的一系列针对中国大陆的半导体出口管制措施中则有了新的限制,其中一条就要求“美国人”在未取得许可的情况下,不得支持某些在中国境内从事半导体制造“设施”开发或生产集成电路的实体提供支持。

随后在2023年,荷兰和日本出台针对半导体设备的出口管制政策,并未要求禁止对已经销售给中国客户的被列入限制范围的设备中断维修和技术支持。并且,荷兰和日本的半导体设备出口管制政策当中,也并未有相应的对本国人的限制条款。因此,荷兰、日本半导体厂商对其在华销售的半导体设备一直都是有提供维护和技术服务的。

如果荷兰和日本的半导体设备出口管制政策被迫与美国对齐,那么相关已经对华销售的设备的后期维修和技术服务将会受到严重影响。

为了迫使荷兰和日本等盟友在150天内对齐美国的出口管制政策,MATCH Act还提出,美国商务部应该运用"外国直接产品规则"(Foreign Direct Product Rule),实施单边管制,即盟国的企业所生产的设备只要含有美国的软件、技术或零部件,均属于美国出口管制范围,直接限制对华出口。

MATCH Act的提出,标志着美国对华半导体管制从“单边施压”正式迈入“强制多边对齐”的新阶段。其核心逻辑清晰而激进:既然盟友的管制力度不如美国,那就通过立法强压日荷在150天内同步升级,否则动用“外国直接产品规则”实施长臂管辖。这意味着,即便ASML和TEL的设备不完全依赖美国技术,只要含有美国成分,就可能被纳入管制范围——这种做法无异于将美国国内法凌驾于全球贸易规则之上。

从战略意图看,美国此次精准锁定“光刻+刻蚀”两大核心设备品类,直指芯片制造的“卡脖子”环节。浸没式DUV是成熟制程向先进制程过渡的关键,低温蚀刻则是3D NAND、先进封装等高深宽比工艺的核心工具。两项设备同时被禁,意图明显:延缓中国从成熟制程向先进制程的爬坡速度,同时遏制存储芯片的产能扩张。

从被点名的五家企业来看,涵盖了中国领先的逻辑制造和存储制造企业,覆盖中国半导体制造的战略支点。更值得警惕的是,MATCH Act要求禁止维修和技术支持——这意味着已购设备的未来正常运行也可能受影响,杀伤力远超单纯的新设备禁售。

不过,MATCH Act能够正式成为生效的法案仍面临多重变数。

首先是美国内部党派不同派系能否达成一致的意见,美国本土企业能否坐视自身在华利益受损,美国总统最终是否会签署这项可能激化中美矛盾,破坏与荷兰和日本盟友关系的法案。

其次是荷兰和日本这两个盟国能否配合,毕竟他们也需要维护本国企业的利益,之前的出口管制政策已经引发了一些负面影响。

第三,是执行难度。“外国直接产品规则”虽然威力巨大,但过度使用可能引发全球供应链的剧烈震荡,甚至倒逼非美技术体系的加速独立。

对中国半导体产业而言,MATCH Act若最终通过,那么短期内无疑将带来严峻挑战:先进设备获取进一步受阻、存量设备维护存疑、成熟产线扩产受限。但长期看,这或将进一步坚定中国半导体产业链自主可控的决心。

正如过去几年的经验所示,“封锁”往往催生“突围”——国产刻蚀设备、薄膜沉积设备已在部分领域实现突破,光刻设备研发也在加速推进。美国的“铁幕”,正成为中国半导体产业真正走向独立自主的催化剂。


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