当地时间5月22日，存储芯片大厂美光科技公司庆祝其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片，这是该公司大幅扩展美国内存制造的重要一步。作为美国唯一的内存制造商，美光在加强美国国内内存供应方面具有独特优势。

据介绍，1α DRAM 节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于关键应用的长生命周期内存，包括 DDR4 和 LPDDR4 产品。美光也表示，其1α DRAM 技术是全球最先进的DDR4技术，将在未来几年与公司在爱达荷州博伊西和纽约克莱的领先内存技术同步支持长生命周期产品需求。美光预计马纳萨斯工厂将在2026年底前完成合格的1α DRAM生产。这项超过20亿美元的投资将使美光在马纳萨斯的DDR4晶圆供应增加4倍，为美国汽车、国防、航空航天及工业客户提供强有力支持。该项目也带来了3100多个直接制造业和社区就业岗位，这得到了联邦、州和地方激励措施的支持。

此前，三星、SK海力士、美光这三大DRAM制造商为了满足来自云端巨头（hyperscalers）与数据中心营运商的需求，决定将DRAM晶圆厂产能重新分配至DDR5、LPDDR5X以及高带宽内存（HBM）等毛利率更高的产品上。 美光甚至已在2025年针对消费级与数据中心主流产品DDR4、LPDDR4发出了停产（end-of-life）通知，对客户的最后一批货品预计会在2026年初出货完毕。

然而，这项集体停产的决定，直接让拥有超长产品生命周期（long product cycles）的传统工业陷入巨大断供风险。 S?&P Global Mobility估计，2026年全球车用DRAM的合约价格将比2025年飙升70%至100%，并警告旧世代车用DRAM的供应量将在2028年底前急遽枯竭。据悉，汽车与工业买家手中的DDR4缓冲库存，已从过去的31周以上，大幅萎缩至6~8周。

由于当前DDR4/LPDDR4供应极为紧绷，而市场需求依然巨大，再加上DDR4/LPDDR4价格的持续上涨拉升了这类产品的毛利率，这也导致美光决定拉高DDR4产能。

美光董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉及其他高管主持了此次活动。美国商务部长霍华德·卢特尼克、美国贸易代表大使杰米森·格里尔、美国参议员马克·华纳、美国参议员蒂姆·凯恩以及弗吉尼亚州众议院议长唐·斯科特发表讲话。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“今天的成就是美光2000亿美元投资计划中迈出的重要一步，旨在扩大美国内存制造和研发领域。”“这体现了美光对依赖关键应用长生命周期内存的客户和行业的持久承诺。我们自豪地将先进的1α DRAM制造带到美国本土，增强了对美国客户及我们服务的全球市场的国内供应。我们感谢特朗普总统、美国国务卿卢特尼克、大使格里尔、斯潘伯格州长、美国参议员华纳和凯恩、弗吉尼亚州众议院议长斯科特、弗吉尼亚州议会、州议会、戴维斯市长和马纳萨斯市，我们的客户、供应商、本地合作伙伴以及社区，他们的持续支持使这一里程碑成为可能。”

美国商务部长霍华德·卢特尼克说：“我们终于在美国制造了存储半导体。”“多亏了特朗普总统的领导，美国领先的存储器公司美光正在弗吉尼亚制造半导体最先进技术的关键部件。美光巨额的2000亿美元全国投资将使美国工业、汽车、国防和航空航天存储芯片的产量增长四倍。此外，美光将尖端内存生产带回美国，继续推动我们先进制造的复兴。”

目前美光在美国的扩张正在持续快速推进。该公司于一月在纽约的内存制造综合体动工，初步的地面准备工作进展超前。美光继续预计其爱达荷州第一家晶圆厂将在2027年年中产出初步晶圆，第二家爱达荷晶圆厂的地面准备工作已开始。这些项目合计将创造约9万个就业岗位，帮助实现美国的经济和国家安全目标。

为支持美国半导体产业的发展，美光已承诺投入超过3.25亿美元，培养下一代劳动力并加强弗吉尼亚、爱达荷和纽约的社区建设。这项投资包括半导体课程开发、社区学院和大学合作、注册学徒制以及其他旨在扩大半导体职业机会的项目。

在弗吉尼亚州，美光的投资包括与北弗吉尼亚社区学院和国家创新与职业发展研究所合作的美光注册学徒计划，该项目为全职半导体技术员职业提供途径;以及与北弗吉尼亚社区基金会合作的2026年美光STEM机会基金，支持该地区超过16,000名K-12学生。退伍军人是美光马纳萨斯团队的重要组成部分。马纳萨斯工厂约每十名美光团队成员中就有一人是退伍军人，并与战争部的SkillBridge项目、弗吉尼亚州政府、当地退伍军人组织及州内军事基地等组织合作。