8月1日消息，据外媒wccftech报道，为实现2031年投产目标，英特尔正全力推进其俄亥俄州巨型晶圆厂综合体的建设。为实现这一总体目标，公司据称正在向参与项目的员工支付丰厚的加班奖金，以激励团队加速工程进度，目标是在2031年实现14A制程的高量产（HVM）投产。

与此同时，其EMIB-T先进封装技术取得关键进展，总良率已接近90%，仅剩基板良率这一最后难题，有望在2027年批量推出，与台积电的CoWoS-L技术展开正面竞争。

目前台积电正在开发一种类似EMIB的先进封装方案，以补充其体积较大的CoWoS-L产品。而英特尔的EMIB技术，是通过在有机基板内部直接嵌入微小的硅“桥”，在芯片边缘放置高密度微凸块，从而实现单个处理器封装内多个芯片（小芯片）之间的互联。

EMIB-T则更进一步，它在嵌入式硅桥中加入了硅通孔（TSV）技术。这些垂直的布线通道允许电力和高速信号从芯片封装底部直通而上，穿过桥接器，直接抵达上方的处理器或内存，从而实现3D堆叠。值得注意的是，英特尔的EMIB-T解决方案相比台积电的CoWoS，成本大约便宜50%。

基于这些进展，英特尔目前预计将在2027年开始批量提供EMIB-T封装解决方案，其封装总良率已接近90% 的水平。然而，目前唯一的遗留障碍是基板良率，当前仅停留在50%。

英特尔EMIB-T技术中使用的基板由以下部分组成：

基础有机面板：上面有精密钻出的空腔用于放置硅桥，主要由Ibiden（主要供应商）、Shinko、Unimicron和AT&S制造。

介电质积层膜：直接层压在嵌入式桥接器上的绝缘层，采用行业标准的味之素积层膜（ABF）。

硅桥本身：包含用于垂直布线电源的硅通孔（TSV）。

正是这基板环节，目前正拖累英特尔大规模提供EMIB-T封装服务的计划。即便如此，主要基板供应商之一Unimicron最近重申，EMIB-T仍处于早期平台阶段，当前的首要任务正是快速提升产能和改善良率。