芯片失效分析主要应用于提高芯片良率(Yield Enhancement)以及反向工程(Reverse Engineering)，包括芯片开盖(Chip Decap)、钝化层/绝缘层（SiO2、SiNx、SiNO）去除(Delayer)、铝线/铜线去除、粘附层（TaN、Ta、Ti）去除、背硅减薄(Backside Silicon Access)等具体技术手段，其中去层技术(Delayer)需要完整地去除金属线之间绝缘层，恰到好处地将下一层金属线暴露出来，有时还需要保留金属线之间的过孔(Via hole)，以及去除粘附层，是失效分析中一项具有挑战性的技术。

北京三和联科技有限公司从用户具体要求出发，开发了专门适用于失效分析的反应离子刻蚀机台(SHL FA100/150/200 RIE/ICP)，将工艺稳定性调配到**状态，同时考虑操作便捷性，让用户可以一键完成指定工艺，整个工艺过程系统全自动执行，该系列机台受到广大业内用户的认可；主要应用于SiO2/SiNx去层，背硅减薄 (Backside Silicon Access)等；与此同时，我们也开发出针对金属层的物理刻蚀机台(SHL FA100/150/200 IBE)。

适用于失效分析的 RIE，ICP-RIE 和 IBE 机台

反应离子刻蚀 (RIE for FA) 主要功能：

1.钝化绝缘层SiO2/SiNx去层(Delayer)；

2. 可处理最小节点：3 nm；

3.刻蚀速率：0-180nm/min；

4.刻蚀表面粗糙度< 3nm；

5．刻蚀均匀性<5%；

6.对Cu/Al选择比 > 50；

电感耦合等离子体刻蚀 (ICP for FA) 主要功能：

1.SiO2/SiNx去层、Al/Cu去层、背硅减薄 (Backside Silicon Access)；

2.可处理最小节点：3 nm；

3.刻蚀速率：

SiO2/SiNx: 50 ~ 500 nm/min

Si: 0~5μm /min

4.刻蚀表面粗糙度<5 nm；

5.刻蚀均匀性<5%；

离子束刻蚀 (IBE for FA) 主要功能：

1.金属Al/Cu去层 (Delayer)；

2.可处理最小节点：3 nm；

3.刻蚀速率5 ~ 180 nm/min；

4.刻蚀表面粗糙度<5 nm；

5.刻蚀均匀性<5%；

6.对SiO2/SiNx选择比1：1；

芯片失效分析刻蚀机台应用结果：

北京三和联生产的FA-RIE、FA-ICP、FA-IBE系列刻蚀设备专用于IC失效分析去层刻蚀应用，是市场上最早研发专用失效分析刻蚀机台的厂家，目前在该领域国产设备市占率突破70%，为该领域的领军者! 目前企业实验室已完整验证4nm技术节点的芯片失效分析。该系列机台已经在国内顶级Fab厂及知名第三方失效分析实验室完成设备销售入驻，在线运行表现非常稳定，拥有丰富的去层实践参考结果。