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传三星电子与SK海力士2027Q2全面量产8Hi HBM4内存

2026-10-27
来源:IT之家

10 月 26 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称,三星电子、SK 海力士两家 DRAM 制造商计划在 2027 年第 2 季度实现八层堆叠 (8Hi) HBM4 内存堆栈的全面量产并向 NVIDIA(英伟达)出货。

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三星电子、SK 海力士当前产出的 HBM4 内存主要为容量更大的 12Hi 版本。但这也意味着单一堆栈中包含更多 DRAM Die,同等带宽成本更高、堆栈更少,且堆叠更高也意味着良率的下滑。

报道宣称英伟达在 2026Q3 就 8Hi HBM 供应事宜同两大原厂进行了认真讨论。这一计划变更主要是因为英伟达考虑在 Rubin Ultra 和标准 Rubin 中应用 8Hi HBM4 (E),优化整体供应。

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英伟达已将 HGX Vera Rubin NVL8 和 HGX Rubin NVL8 的规格调整为系统合计 2TB HBM4,这应该对应着 8Hi 32GB 的 HBM4 堆栈。

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