《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > Vishay 推出业界最薄的新型 20V P 通道 TrenchFET 功率 MOSFET,厚度仅为 0.59mm

Vishay 推出业界最薄的新型 20V P 通道 TrenchFET 功率 MOSFET,厚度仅为 0.59mm

采用芯片级封装的新款MOSFET器件将最小的占位空间与最佳的导通电阻性能进行了完美的结合
2008-04-09
作者:Vishay Intertech

 

日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)推出了旨在满足对便携式设备" title="便携式设备">便携式设备中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET 功率 MOSFET,该器件采用 MICRO FOOT 芯片级封装,具有此类器件中业界最薄" title="最薄">最薄厚度及最低导通电阻" title="导通电阻">导通电阻。  

Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度,以及 1.5mm×1mm 的占位面积,这也是在 1.2V 额定电压" title="额定电压">额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。 

Si8441DB 提供了 1.2V VGS 0.600? 4.5V VGS 0.080?的导通电阻范围,且具有最高 ±5V 的栅源电压。其在 1.2V 额定电压时出色的低导通电阻性能降低了对电平位移电路的需求,从而节约了便携式电子" title="便携式电子">便携式电子设计中的空间。 

Vishay同时还推出了采用相同 MICRO FOOT 芯片级封装的另一新款 MOSFET 功率器件--- 20V p 通道 Si8451DBSi8451DB 的最高额定栅源电源为 8V,其导通电阻范围介于 1.5V 0.200Ω 至 4.5V 0.80Ω,这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。 

随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封装这恰恰是Vishay Si8441DB Si8451DB 所具有的特点。 

目前,上述两款新型 MICRO FOOT 芯片级封装功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 1012 周。  

VISHAY简介 

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的财富 1,000 强企业,是全球分立半导体(二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一,这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。 

有关 Vishay 的详细信息,可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com 

 

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。