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意法半导体(ST)推出全新快速恢复MOSFET产品,大幅降低导通电阻,提供全面的节能解决方案

第二代超结 FDmesh架构瞄准高功率密度和超低功耗的应用
2008-05-14
作者:意法半导体
 

世界领先的功率半导体产品" title="半导体产品">半导体产品供应商意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻" title="导通电阻">导通电阻实现超过18%的降幅。 

 

STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品,这是一款600V N沟道MOSFET晶体管,0.060欧姆的导通电阻在快速恢复MOSFET晶体管市场上创下最低记录,采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A,在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中,可以用一个MOSFET晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率,新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。 

 

为把这些改进的性能变为现实,STFDmesh超结架构进行了技术改进,在传统的带状MOSFET结构中融合垂直结构,同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外,通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻,这些技术改良更能提高开关效率,降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性,特别是在桥式拓扑中,包括在低负载下的零压开关(ZVS)结构,使新产品具有很高的dv/dt值。 

 

采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能,每款封装都让快速恢复MOSFET晶体管具有业内最低的导通电阻。其中,STP30NM60ND采用TO-220封装,额定漏极电流25A,导通电阻0.13欧姆;STD11NM60ND采用DPAK贴装封装,漏极电流10A,导通电阻0.45欧姆;STFDmesh II系列产品将不断推出新产品,以扩大电压和电流性能的选择范围,后续产品将采用业内标准的功率封装。 

 

STW55NM60ND现在已开始量产。 

 

详情访问 www.stmicroelectronics..com.cn/pmos 

 

关于意法半导体" title="意法半导体">意法半导体(ST) 

意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2007年,公司净收入100亿美元,详情请访问ST网站 www.st.com ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn 

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