恒忆" title="恒忆">恒忆（Numonyx）今天宣布与海力士" title="海力士">海力士半导体公司" title="半导体公司">半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。 

根据新协议，恒忆和海力士将扩大联合开发的范围，共同提供领先的NAND存储器技术和产品，并且整合资源以加快未来NAND技术及解决方案的开发。在应用于手机多芯片封装的移动DRAM领域，双方也将进行合作。 

恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示：“未来五年，在NAND市场实现增长和成功需要具备多种能力，而我们相信与海力士合作将让我们具备这样的能力。通过整合双方的资源，加上海力士在成本控制上的不懈努力，我们相信我们将拥有领先的技术、有效的成本且可扩展的制造能力以及行业领先的存储器系统专业技术，从而能够快速向市场推出系统级的NAND解决方案。海力士对我们专业技术的补充必将增强我们在NAND，特别是无线领域的领导地位。” 

海力士公司董事会主席兼首席执行官Jong-Kap Kim表示：“要在飞速发展半导体行业取得成功并不简单，联合解决技术问题可以整合两家公司的优势，从而降低独自行动所带来的风险。未来的联合技术开发将是双方合作取得成功的关键。在产品、软件和控制器领域的系统化联合开发将有助于我们快速推出新产品，可以预期我们将在开发存储器解决方案方面取得重大进展。海力士与恒忆将采用领先的技术开发全系列产品，共同在NAND市场取得更大的成功。现在，我们拥有了全球最庞大的NAND设计团队，共同为现在和未来开发新的NAND存储器解决方案，我们期待着延续过去的成功历史。” 

随着技术的发展以及光刻节点变得越来越小，制造NAND存储器也变得越来越复杂。电荷捕获型NAND预期将取代目前主流的浮动门NAND技术，而恒忆在NOR闪存技术上的丰富经验将对此作出积极贡献。要应对这个挑战，存储器供应商需要在未来五年更深入地了解器件的物理性能和整体存储器系统级解决方案。 

恒忆软件技术将有助于存储器供应商达到上述要求，并对市场渗透产生正面影响，提升microSD、eMMC和SSD等集成NAND解决方案的市场份额。恒忆与海力士的合作将带来重大的整合效应，而恒忆在解决非易失性存储器挑战方面有40年的历史并且在开发固件、微控制器和其他系统解决方面拥有丰富的经验，这些因素都将在NAND从原始芯片向系统的转变中起关键作用。 

除了在NAND上的合作，两家公司在中国无锡的合资企业目前正计划生产300毫米低功耗" title="低功耗">低功耗移动DRAM。两家公司针对移动设备的解决方案中均采用了与多芯片封装中的非易失性存储器进行普通堆叠的移动DRAM。在移动DRAM上的合作让两家公司能够向需要小型设备的客户提供更多成本效益高的低功耗多芯片存储器子系统。海力士在今年四月份推出了世界上速度最高的1Gb LPDDR2产品，成为移动DRAM产品行业的领袖。其在产品多样化、技术、性能以及兼容SDR/DDR接口方面保持领先，提供单芯片解决方案。 

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关于恒忆 (Numonyx)

恒忆设计与生产制造完整的集成NV-RAM、NOR、NAND 和相变非易失性存储技术" title="存储技术">存储技术与产品，以满足无线、数据和嵌入式存储器市场日趋复杂的需求。恒忆结合了意法半导体(STMicroelectronics)和英特尔(Intel Corporation) 存储部门的技术与制造专业，致力于为全球客户提供高密度、低功耗存储技术与封装解决方案。关于恒忆的详细信息，请查询公司网站 www.numonyx.com。 

关于海力士（Hynix）

韩国仁川海力士半导体有限公司（HSI）是世界一流的存储器半导体供应商，为全球各类知名的国际客户提供动态随机存取存储器芯片（DRAM）和闪存芯片。公司股票在韩国股票交易所上市，全球信托股票在卢森堡股票交易所上市。欲了解有关海力士半导体公司的更多信息，请登录网站：www.hynix.com。