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IR 推出为 D 类应用优化的汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET

2010-08-25
作者:IR

  全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。
 
  新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率 MOSFET 阵营,并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化,来改善总谐波失真 (THD) 和提高效率,而低二极管反向恢复电荷 (Qrr) 则进一步改善了总谐波失真,降低了电磁干扰 (EMI) 。
 
  AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封装尺寸比 SO-8 小,更能够为没有散热片的 8Ω 负载提供每通道 100W 的功率,由此可以提供非常紧凑的 D 类解决方案,是节省多通道电路板空间的理想选择。AUIRF7675M2 中罐器件的封装尺寸比 DPak 小54% ,能够为没有散热片的 4Ω 负载提供每通道 250W 的功率,使其非常适合 D 类音频系统的亚低音输出级。
 
  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新款 DirectFET®2 器件是对之前推出的 AUIRF7665S2 的补充,为设计师提供了适用 D 类音频系统不同功率等级的替代额定电压和导通电阻。”
 
  正如所有的 DirectFET® 产品一样,新器件提供了最小的热阻抗以及寄生电阻和电感,能够提供出色的功率密度和双面冷却效率。
 
  新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
 
产品规格

器件编号

封装

Vds

典型导通电阻

最大导通电阻

Rg(典型)

栅极电荷(典型)

AUIRF7640S2

DF2 小罐

60V

27mΩ

36mΩ

3.5Ω

7.3nC

AUIRF7647S2

DF2 小罐

100V

26mΩ

31mΩ

1.6Ω

14nC

AUIRF7675M2

DF2 中罐

150V

47mΩ

56mΩ

1.2Ω

21nC


  数据表、应用说明和认证标准可浏览 IR 的网站 www.irf.com。IR 还准备了 Spice 和 Saber 模型供索取。
 
专利和商标
 
  DirectFET® 和 IR® 是国际整流器公司(International Rectifier Corporation)的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
 
IR简介
 
  国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
 
  IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn

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