在Honolulu举办的2008SymposiumonVLSITechnology技术论坛上，IntelCorp.的研究人员发布了新一代基于绝缘硅（SOI）通过埋层氧化层（BOX）储存电荷的浮体存储器单元（FBC）。针对一些专家提出的缩小尺寸将导致器件的荷电保持能力下降的疑虑，研究人员指出FBC技术能够有效地改善上述问题，这项技术可能在16nm技术节点时切入市场，并能够向下延伸至10nm" title="10nm">10nm节点。

   Intel器件研发部主管MikeMayberry介绍道，相对于其它使用较厚的埋层氧化层的FBC产品而言，Intel的研发团队使用10nm的BOX并在其上方覆盖22nm" title="22nm">22nm的硅材料" title="硅材料">硅材料。这项技术在速度上还不能与传统的SRAM相提并论，但是FBC结构比目前广为使用的6晶体管(6T)的SRAM具有更小的单元面积。

   Intel研发的浮体存储器单元（FBC），器件的栅电极为32nm" title="32nm">32nm并使用10nm的埋层氧化层（BOX）储存电荷。

    “如果我们能够使FBC满足使用的需求，单一晶体管结构无疑比6T内存更具有优势，”Mayberry说道。

    Mayberry介绍道，FBC内存结构不再需要独立、制造成本高昂的电容结构，而是将电容与单元本体相互结合。通过这种方式，FBC结构能够在单元面积上具备更大的储存容量。这能够进一步提高运算速度并大为降低制造成本。此外，Mayberry还指出，采用较薄的BOX以及硅材料的FBC结构在低电压条件下的表现与厚SOI单元相当。Intel展示的30nm栅电极(Lg)的FBC结构，其单元面积约为0.01μm2。

    Intel的研究人员采用本公司的45nm" title="45nm">45nm逻辑技术平台进行流片试验，在提高源/漏掺杂和取消井掺杂的平面结构上分别对比先栅极、后栅极制造工艺对这项技术的影响。具体内容参见，《AScaledFloatingBodyCellMemorywithHigh-k+MetalGateonThin-SiliconandThin-BOXfor15nmNodeandBeyond》，作者：Intel技术生产制造部（TMG）Hillsboro,Ore.以及IbrahimBan，UygarAvci，DavidKencke和PeterChang。

    研究人员公布了栅长为60nm的FBC器件性能，基于数据可知FBC结构具有良好的晶体管电学性能，较稳定的阈值电压(Vt)以及优异的内存表现。上述结果参见《functional 32n mgate length silicon suggests the feasibility of this technology at the 11n mnode》，文中栅长为32nm的器件是迄今为止发布的最小尺寸的器件结构。文中指出：“在>100ms的前提下，储存数据是稳定的，FBC结构能够适用于32nm栅长的器件并可以进一步向前发展。”

    当迈入16nm节点时，FBC的单元尺寸将比6TSRAM更小。采用40nm栅电极、60nm栅电极间隔以及60nm金属导线的设计规则，折叠型位线结构的FBC单元面积是0.012μm2，而开放型位线结构的将达到0.006μm2。

    Intel的成果为FBC内存领域的研究注入了新的活力。此前，IBM的研究人员提出随着器件尺寸的缩小很难确保存在BOX中的电荷不会流失。

    去年晚些时候，InnovativeSiliconInc.(ISI,Lausanne,Switzerland)对外发布了第二代Z-RAM设计结构。作为FBC领域的先驱，ISI已经将其知识产权转让给了AdvancedMicroDevicesInc.(AMD,Sunnyvale,Calif.)、HynixSemiconductorInc.(Icheon,Korea)以及其它一些知名半导体企业。此外，在日本ToshibaCorp.(Tokyo)和RenesasTechnologyCorp.(Tokyo)也在积极研究FBC技术。   

    “FBC单元可以用于高速缓冲存储器，面积上会比目前在45nm技术节点使用的6TSRAM缩小30%”，Mayberry说道。而且这项技术能够进一步向下延伸，满足16nm乃至更为先进技术的需求。最后，他透露Intel在FBC方面的研究比目前业界公布的技术先进两代以上。