《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 其他 > 业界动态 > IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台

IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台

专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来
2008-09-23
作者:IR
 

全球功率半导体" title="功率半导体">功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布,成功开发出一种革命性的GaN功率器件" title="功率器件">功率器件技术平台" title="技术平台">技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比,该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10,显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能,并降低能耗。 

 

开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术,历经5年研发而成的成果。 

 

IRGaN功率器件技术平台有助于实现电源转换" title="电源转换">电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面的经验,可使该技术平台广泛应用于AC-DC电源转换器" title="电源转换器">电源转换器、DC - DC电源转换器、电机驱动器、照明系统及高密度音频和汽车系统领域。其系统解决方案产品组合和相关知识产权 (IP) 远远超越了其他的领先分立功率器件。 

 

吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工艺完全符合IR公司倡导的低成本高效益的芯片制造要求,为客户提供世界一流的、可商业化的GaN功率器件制造平台。 

 

IR总裁兼首席执行官Oleg Khaykin表示:“领先的GaN器件技术平台和IP组合符合我们为客户节约能源的核心使命,进一步提升了IR公司在功率半导体器件领域的领导地位,预示着电源转换新纪元的到来。我们完全相信这种新器件技术平台对电源转换市场的潜在影响至少和30多年前IR推出的功率HEXFET?电源一样大。” 

 

几个新GaN器件产品平台的原型将在2008111114日于慕尼黑举办的Electronica电子贸易展上向主要原始设备制造商展示。 

 

Khaykin 还表示:“我们认为,GaN器件产品平台最早将在那些充分利用功率密度以及电源转换效率和成本的关键特性价值实现革命性转换能力的市场领域和设备中得以应用。 

 

IR简介 

 

国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。 

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。