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DRAM价格已几近今年高点的一半

2010-11-29

根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门 DRAMeXchange 调查, DDR3 2GB合约价格自2010年自上半年的高点46.5美元后一路走跌,九月上旬跌破40美元,十月下旬再度跌破30美元。十一月上旬均价约25美元,与今年高点相比跌幅达46%。

虽然笔记本电脑九月出货优于预期,由于传统旺季需求仍不畅旺,季成长仅2.6%。DRAM产出方面,除了三星由于制程优于其它同业,加上浸润式机台移入时间早,产出量的增加在第三季达到顶峰,也让三星在第三季营收有着亮眼的表现。


反观其它DRAM业者,浸润式机台移入时间点大都集中在今年下半年,产出量亦在第四季大增,供给大于需求加上 DRAM厂商有销货上的压力,以较低的价格争取订单,是造成十月下旬合约价加速赶底的主要原因。集邦科技预估,今年年底DDR3合约价格可能下看20美元,下跌幅将超过30% (QoQ)。


由于预见DRAM价格大幅下跌,DRAM厂纷纷对未来资本支出转趋保守,如三星Fab16的建设,将视未来市场状况做调整,台系厂如力晶亦下修资本支出约20%至160亿台币,日台合资的瑞晶R2厂扩厂计划也延后讨论。


另外尔必达更在11月4日F2Q法说上,宣称将把减产标准型DRAM月产能至6万片,减产方向可能降低委外代工部分,或降低日本广岛厂标准型DRAM的投片量。11月8日,力晶跟进宣布减产标准型 DRAM 10%~15%,将产能转至代工产品。同时市场也传出海力士因44nm良率不佳,影响第三季及第四季的产出。


展望2011年,集邦科技预估 2011年 DRAM 产出全年成长率在厂商加速制程转进下,仍可达50%。各家的制程转进状况,三星35nm制程预计明年下半年将超过50%,其余国际厂也加速3Xnm进程,海力士、美光及尔必达均预计明年第二季末量产3Xnm技术;台系厂明年则以加速转进4xnm 为目标。各家竞相转进制程,期望将生产成本再降低,以因应DRAM快速下跌的速度。


DRAMeXchange 预估,DRAM价格可望在明年第一季或第二季落底。2011年PC 销售成长预计达11.8%,加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成长80%以上,然而在标准型DRAM价格大跌隐忧下,DRAM厂明年上半年资本支出可能将保守以对,预期明年第一季,低价DRAM可望刺激计算机厂商增加DRAM 搭载率。


DRAMeXchange预估2011年DT以及NB单机搭载率分别成长至4.22GB/4.00GB,年增率36%以及31%,市场期望DRAM搭载的成长,能让市场由超额供给回复至供需平衡,下半年市场价格走稳。


 

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