《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 电源技术 > 新品快递 > 恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET

恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET

采用Power-SO8封装的NextPower技术MOSFET
2010-12-06
作者:恩智浦

  恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(Nasdaq: NXPI)今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,拥有业界最低RDSon,4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,专门针对4.5V开关应用优化,采用LFPAK封装技术,是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC-DC转换应用进行了优化,例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。
 
技术要点:
  •特性和优势:
   o针对4.5V栅极驱动的低RDSon而专门优化的先进NextPower技术
   oPower-SO8封装确保高可靠性,温度最高可达175˚C
   o超低QG、QGD和QOSS确保了高系统效率
  •PSMN1R0-30YLC现已开始供货。
  •PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款产品,全系列产品将在未来几个月中陆续推出。
 
积极评论:
  •恩智浦半导体Power MOSFET营销经理Charles Limonard表示:“恩智浦NextPower系列MOSFET将帮助设计者实现高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于开发和创新,并不断改善导通电阻RDSon、开关速度和热效率等关键参数,从而推出具有业界领先水平的MOSFET器件。”
  •Limonard还表示,“PSMN1R0-30YLC具有领先于同类器件的超低RDSon,可显著降低功耗;这反过来能提高新一代电子产品的能效,使能效等级更高,尺寸更小”。
 
链接
  •采用LFPAK封装的N沟道30 V 1.15 mΩ 逻辑电平MOSFET-PSMN1R0-30YLC数据手册和产品信息:http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html
  •恩智浦MOSFET
 

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。