IR推出IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组专为注重成本的DC-DC应用而设计
2010-12-14
作者：IR
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组，特别为注重成本的19V输入同步降压应用 (如笔记本电脑) 而设计。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%，大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ，最大限度减少了传导及开关损耗。IRF6728M还备有单片型集成式萧特基二极管 (Schottky) ，可以降低与体二极管导通和反向恢复相关的损耗。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6708S2和IRF6728M芯片组能够为注重成本的DC-DC开关应用提供高效率、且具有成本效益的解决方案，而DirectFET确保的卓越热特性充分体现了一流的整体价值。”
IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技术。这些新器件除了拥有低导通电阻和低电荷，也具有DirectFET封装低寄生电阻电感和卓越的散热性能。
产品规格
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器件编号 |
BVDSS (V) |
10V下的 典型RDS(on) (m) |
4.5V下的 典型RDS(on) (m) |
VGS (V) |
4.5V下的 典型QG (nC) |
4.5V下的 典型QGD (nC) |
|
IRF6728M |
30 |
1.8 |
2.8 |
+/-20 |
28 |
8.7 |
|
IRF6708S2 |
30 |
7.5 |
12.0 |
+/-20 |
6.6 |
2.2 |
产品详细数据及应用说明可浏览IR网页www.irf.com。
新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，现已接受批量订单。
专利和商标
DirectFET 和 IR 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。