Intersil 推出全球最高轻负载效率MOSFET栅极驱动器,有效节省英特尔 VR11.1 CPU 多相开关稳压器设计的成本和
2008-10-30
作者:Intersil公司
全球高性能" title="高性能">高性能模拟半导体设计和制造领导厂商" title="领导厂商">领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球精选市场交易代码:ISIL)今天宣布,推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器,为英特尔" title="英特尔">英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。
ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有
ISL6622结合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N沟道MOSFET,其先进PWM协议可为先进微处理器提供完整的内核电压稳压器解决方案。
ISL6622有助于实现提高轻负载效率所需PSI模式期间的二极管仿真操作,并通过电感器电流为零时的检测实现非连续导通" title="导通">导通模式(DCM)。当检测到“零”时,低侧MOSFET处于关断状态,以防止出现吸收电流并消除伴随反向电流的功率损失。Intersil的栅极电压优化技术(GVOT)还可用于PSI模式;通过降低栅极驱动电压,可以显著降低控制轻负载条件下总功耗损失的开关损耗。这增加了ISL6622提供的总效率。
这些PWM控制器还具有自适应击穿保护功能,以防止高低侧MOSFET的同时导通。此外,这些控制器还集成了一个20kΩ的高侧栅极至源极电阻器,以防止由于高输入总线差动电压引起的自导通。
与VCC同时操作的过压保护可以降至POR阈值:PHASE节点可通过一个10kΩ电阻器连接至低侧MOSFET(LGATE)的栅极,以使转换器的输出电压保持接近低侧MOSFET栅极阈值。这种能力可以防止出现负载高侧MOSFET短路的情形。
该驱动器采用具有不同驱动电压的两种封装类型。ISL6622采用8引线SOIC封装,可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC;在PSI模式时将低侧栅极降至固定5.75 V典型值。ISL
今天推出的新系列MOSFET驱动器适用于采用英特尔处理器构建的各种服务器、工作站、台式机和游戏主板应用。同时,它们也是VRM应用的理想设计方案。
定价及供货情况
现已上市的ISL6622/A/B采用8引线SOIC封装,1,000定购批量的定价为每片1.00美元,而10引线DFN封装的1,000定购批量定价为每片1.07美元。
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