2010年9月28日，德州奥斯汀——飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管，提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大器(MCPA)要求的超高输出电平。
    飞思卡尔MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF-8S19260H/S产品是飞思卡尔RF功率放大器中高压第8代(HV8)产品系列的最新成员。它们在1 800 MHz和1 900 MHz频段中，提供飞思卡尔RF LDMOS功率晶体管产品组合的最高输出电平。
    MCPA支持无线服务提供商提高现有基站的覆盖面和功率，不用像过去那样经常要在每载波里提供一个专用放大器。MCPA技术允许单个放大器处理多个载波，从而减少终端产品尺寸和组件数量。此外，Doherty配置提高了功率放大器的能源效率，并减少了基站每年的运营成本。
    飞思卡尔副总裁兼RF部门总经理Gavin P. Woods表示，“我们设计飞思卡尔HV8组合来帮助设计人员提高运营效率，降低基站系统的整体能耗和运营成本。 由于增加了先进的MCPA、 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S产品，我们的LDMOS产品得到进一步扩展，从而为客户带来更多选择，以满足他们的设计需求，特别是满足大量无线服务提供商的要求。”
    新产品满足了Doherty放大器体系结构的特殊要求，该体系结构将以AB级模式运行的载波放大器与以效率更高的C类模式运行的峰值放大器组合到一起。它们的这些特性还能够特别满足数字预失真（DPD）电路的要求，从而保证了高阶预制方案规定的高线性。
    晶体管通过内部匹配提供简化的总成，性能十分牢固，而且在32 V的直流电压中生成10:1 VSWR的额定功率。它们被安装到飞思卡尔NI1230陶瓷气腔封装包里，提供集成的静电放电（ESD）保护，从而更好地防止在总成线上所遇到杂散电压；当以C类模式操作时，-6 V～+10 V这样广泛门限电压范围则能提高其性能。
    MRF8P18265H/S是双路径器件，在单个封装中需要同时集成载波和峰值放大器来实施Doherty末级别放大器。
    特性
    (1)MRF8S18260H/S
    · 1 805 MHz～1 880 MHz；
    · P1dB功率为260 W CW；
    · 平均输出功率达到74 W时，AB类漏极效率为31.6%；
    · 增益为17.9 dB。
    (2)MRF8S19260H/S
    · 1 930  MHz～1 990 MHz；
    · P1dB功率为245 W CW；
    · 平均输出功率达到74 W时，AB类漏极效率为 34.5%；
    · 增益为18.2 dB。
    (3)MRF8P18265H/S
    · 1 805 MHz～1 880 MHz；
    · 峰值（P3dB）功率为280 W；
    · 平均输出功率达到72 W时，Doherty漏极效率为43.7%；
    · Doherty增益为16 dB。
    关于HV8
    飞思卡尔第八代LDMOS器件旨在降低AM/AM和AM/PM的失真率，实现最高效率、宽带运营、可靠性及采用DPD技术的Doherty应用的耐用性。与以前几代飞思卡尔LDMOS器件相比，在Doherty应用中HV8 器件的效率通常要高出4～6个百分点。 这些器件证明在大量带宽中，其非对称Doherty放大器的效率能超过50%，同时还保持出众的线性性能。 在无线载波中，这样可以降低冷却要求和缩减基站运营成本，同时让放大器的设计变得更小、更轻便。
    定价和供货情况
    MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和 MRF8S19260H/S现已开始生产。参考设计和其他支持工具也已供货。 如需了解定价信息，请与飞思卡尔半导体当地销售办事处或授权分销商联系。