工业自动化最新文章 曝高通因台积电报价太高开始测试三星2nm工艺 1月1日消息，据媒体报道，台积电在新竹宝山工厂开始了2nm工艺的试产工作，随着2nm工艺的到来，其价格也随之上涨。 据悉，台积电2nm晶圆的价格已经超过了3万美元，相比之下，目前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间。 发表于：2025/1/2 台积电2nm已经风险试产约5000片 据台媒《经济日报》报道称，在台积电美国亚利桑那州晶圆厂即将量产4nm之际，台积电位于中国台湾的2nm量产计划也在持续推进。业界传闻显示，台积电已于竹科宝山厂已小量风险试产2nm制程约5,000片，相关进展顺利，2nm有望如期量产，后续高雄厂也将跟进量产2nm。 发表于：2025/1/2 日月光携手封装基板产业成立AI应用联盟 日月光携手封装基板产业开发AI检测技术，成立AI应用联盟 发表于：2025/1/2 韩国2024年芯片出口飙升43.9%创新高 1月1日消息，韩国产业通商资源部公布的数据显示，由于来自中国的需求增加且半导体销售保持弹性，韩国12月出口保持增长势头。 韩国12月份经工作日差异调整后的出口额较上年同期增长4.3%，未经调整的出口增长6.6%，整体进口增长3.3%，贸易顺差为65亿美元，连续19个月保持顺差。 发表于：2025/1/2 Imagination CEO被指控将关键技术转让被迫离职 2025年1月1日消息，据英国媒体Telegraph报道，英国半导体IP公司Imagination Technologies的首席执行官Simon Beresford-Wylie 因为被指控将关键技术转让给中国而被迫辞职。 发表于：2025/1/2 韩国中小半导体企业正在转向英伟达和台积电 1月1日消息，据媒体报道，韩国的中小型半导体企业开始跟随着英伟达、台积电的脚步，进行下一代产品量产的发展与生产。 ZDNet Korea报道称，韩国中小型制造业正在配合英伟达和台积电下一代技术的引进，特别是在英伟达计划于2025年正式发表的下一代B300 AI芯片。 发表于：2025/1/2 美光宣布投资21.7亿美元提升美国特种DRAM产能 2025年1月1日消息，美光公司总裁Glenn Youngkin表示，美光公司计划投资21.7亿美元扩建其在美国弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，将提高其在美国的半导体产能。该项目将升级该设施，为工业、汽车、航空航天和国防应用生产专用DRAM存储器，预计将创造340个就业机会。 发表于：2025/1/2 授权代理商贸泽电子供应Same Sky多样化电子元器件 2024年12月10日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 （NPI） 代理商、专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 （Mouser Electronics） 是Same Sky（原CUI Devices）电子元器件和创新解决方案的全球授权代理商。Same Sky是全球知名的互连、音频、热管理、运动、继电器、传感器和开关解决方案制造商。贸泽有9500多种Same Sky创新产品开放订购，其中5500多种有现货库存。 发表于：2024/12/31 IAR C-SPY为VS Code社区树立调试新标准 瑞典乌普萨拉，2024年12月5日 — 全球领先的嵌入式系统开发软件解决方案供应商IAR宣布，对VS Code中的调试扩展IAR C-SPY调试器进行了重大升级。此次升级引入了IAR的Listwindow技术，进一步提升了调试能力，使IAR C-SPY调试器在VS Code环境中成为嵌入式设备调试方面的全新标杆。 发表于：2024/12/31 在校准中使用埋入式齐纳技术带来极高精度优势 精密测试设备依靠精确的数据转换器，确保所有测量结果都能准确地反映受测器件的状态。在测试和测量中，任何偏移误差、增益误差或有效位数减少都将对测量结果产生负面影响。然而，遗憾的是，在高精度系统中，所有这些误差都无法完全避免。温度漂移或长期漂移等问题最终会以增益误差或偏移误差的形式表现出来。因此必须进行校准，确保所有测量结果都是准确的。 发表于：2024/12/31 Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。 发表于：2024/12/31 三星电子2nm制程初始良率优于上代 12 月 31 日消息，韩媒 ChusunBiz 今日表示，三星电子正对下代 2nm 先进制程进行量产测试。报道指与上代开发进程十分坎坷的 3nm 相比，2nm 制程的初始良率超出了预期。 三星电子从本季度开始将 2nm 制造设备转移至韩国京畿道华城市 S3 代工生产线，计划于 2025 上半年启动 2nm 的试生产，目标在明年内正式推出 2nm 工艺；此外根据同美国政府达成的《CHIPS》法案补贴正式协议，三星的美国得州泰勒晶圆厂也将聚焦 2nm 制程。 发表于：2024/12/31 传安谋科技CPU部门将裁员 12月30日消息，近日，有网友在某社交平台爆料称，国内半导体IP大厂安谋科技（Arm中国）的CPU部门将裁员，目前该部门约30-40人，补偿方案为“n+3”，年终奖可正常发放，社保将会交到明年2月份。 根据之前的资料显示，安谋科技在深圳、上海、北京、成都等地共有员工约800人，研发团队占比85%，并累计申请处理器核心专利300余项。研发产品覆盖了SOC、HPC、CPU、AI、多媒体、ISP、VPU等。 发表于：2024/12/31 TrendForce预估2025年一季度一般型DRAM内存合约价下跌 12 月 30 日消息，TrendForce 集邦咨询表示，2025Q1 进入 DRAM 内存市场淡季阶段。在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下，明年不计入 HBM 的一般型 DRAM 内存合约价整体将出现 8%~13% 下滑，较本季度降幅扩大 5 个百分点。 发表于：2024/12/31 全球首片8.6代OLED玻璃基板产品在安徽蚌埠成功下线 据大皖新闻报道，12月29日，由中建材玻璃新材料研究院集团有限公司和蚌埠中光电科技有限公司自主研发生产的世界首片8.6代OLED玻璃基板产品在安徽蚌埠成功下线，开创了高世代OLED玻璃基板“中国制造”的新纪元。 发表于：2024/12/31 <…136137138139140141142143144145…>
