欧盟Moore4Power计划启动 15国联手开发新一代功率芯片

5 月 25 日消息，德国半导体企业 Infineon（英飞凌）当地时间 20 日宣布启动由其担任协调方的欧盟 Moore4Power 计划，来自 15 个国家的 62 家参与方将联手开发更高效、更可靠、更易于产业化的新一代先进智能电力电子产品。

发表于：2026/5/26 上午10:17:37

国产芯片级主动散热方案曝光

5月25日消息，博主@数码闲聊站 今日爆料，为了配合先进国产工艺，芯片端同步在测试「MEMS主动散热风扇」，可以紧贴处理器的芯片级主动散热方案，相较传统内置风扇，厚度是毫米级，几乎无噪音，传导效率更高，技术同样会领先行业。

发表于：2026/5/26 上午10:08:20

继苹果之后 三星加快去高通化

5月25日消息，苹果计划将完全自主研发的5G基带芯片应用到iPhone 18全系机型当中，彻底结束多年来对高通基带产品的外部依赖。三星也在加快推进去高通化步伐，将于明年上半年发布Galaxy S27系列，延续分区域市场推出骁龙版本和Exynos版本的双芯并行策略，其搭载2nm工艺自研Exynos 2700的Exynos版本供货比例从上一代的25%提升至50%。受2nm晶圆制造成本飙升、DRAM存储价格上涨等因素影响，手机厂商利润空间被压缩，三星最终目标为全线Galaxy产品配备自研Exynos处理器，若落地将重构全球高端手机芯片市场现有竞争格局。

发表于：2026/5/26 上午9:56:43

SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”

5月26日，SK海力士发布名为iHBM的控温散热存储技术。该技术核心为新开发的冷却元件ICE，采用绝缘、高导热性硅基材料制成，不同于传统HBM产品依赖核心芯片向外导热的间接散热方式，iHBM将ICE直接嵌入发热最集中的D2D PHY区域构建专用排热通道，相比传统方案热阻降低30%以上，有效提升严苛环境下的产品运行稳定性。该技术采用已广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，可实现规模化稳定量产，且兼容现有系统级封装环境，导入门槛较低。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算及AI数据中心等场景的散热管理需求。

发表于：2026/5/26 上午9:54:39

美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定

5月25日消息，据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。

发表于：2026/5/26 上午9:51:52

华为韬定律从手机SoC杀入AI

5月25日，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波署名的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》已提交至中国科学院科技论文预发布平台，详细介绍韬（τ）定律。该定律是自登纳德缩放定律以来，首个在整个计算栈建立统一优化目标的缩放原理，不再将晶体管面积作为技术进步的核心衡量指标，转而以“时间”为核心，采用单一特征时间常数τ作为统一优化目标，覆盖跨越十二个数量级的整个计算体系。论文展示两个量产级别验证案例：移动SoC领域逻辑折叠技术可实现55%的晶体管密度提升、41%的能效增益，AI系统相关协同设计技术栈预计2035年实现超100倍硬件集成度增长，2030年前后韬定律将切入AI赛道，昇腾990将首次把逻辑折叠技术引入AI加速器领域。

发表于：2026/5/26 上午9:36:22

烟山科技全球首条8英寸MicroLED IDM产线投产

5月25日，烟山科技年产MicroLED新型显示器件项目在德清工厂正式投产，全球首条从外延到先进封装的8英寸硅基氮化镓MicroLED IDM量产线实现通线。该产线依托烟山科技自主研发的硅基氮化镓平台与混合集成工艺，实现全链路自主可控，具备光提取效率高、加工良率优、连通率超6N等核心优势，可大幅降低MicroLED芯片的生产成本与量产门槛。投产后将形成年产300万颗MicroLED器件的产能，可广泛应用于AR/VR、车载显示、高端大屏等场景，项目达产后预计年产值将突破3亿元，标志着我国MicroLED产业突破关键制造瓶颈，迈入规模化量产新阶段。

发表于：2026/5/26 上午9:32:49

三星罢工再生变故 非半导体部门申请法院禁令

5月25日消息，据报道，以三星电子非半导体DX部门（含手机、家电、电视）为主的三大工会，向水原地方法院申请临时禁令，要求停止2026年劳资暂定薪资协议的全员投票程序，投票原定5月27日上午10点截止。

发表于：2026/5/26 上午9:31:55

全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型诞生

5月25日消息，据当地媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

发表于：2026/5/26 上午9:27:57

芯片涨价潮蔓延 模拟芯片大厂矽力杰官宣涨价

"模拟芯片大厂矽力杰宣布，自2026年7月1日起对部分产品进行适度价格调整，实际调幅将依具体产品品项而定。本次调价源于整体供应成本上升：AI需求加速增长带动全球供应链波动加剧，原物料价格攀升，晶圆制造、封装测试及物流等环节的生产与运输成本同步上涨，矽力杰表示此次价格调整旨在保障产品品质与供应链安全。业内人士分析，此轮涨价由晶圆代工与封测成本上涨倒逼，并非终端需求旺盛推动，此前MCU、驱动IC已率先调价，当前半导体产业链涨价潮已全面蔓延，上下游数十家厂商已密集发布涨价通知，其中联电下半年晶圆代工价格上调约10%，日月光封测端涨幅为5%至20%。"

发表于：2026/5/26 上午9:18:58