中国电信与诺基亚贝尔达成人工智能战略合作 面向5G时代协力推动智能应用落地

在“2018年中国国际信息通信展览会（PT Expo China18）”上，中国电信与上海诺基亚贝尔共同签署了人工智能战略合作框架协议。未来，双方将基于并融合诺基亚领先的AI/ML技术，以及5G云化、边缘云网络产品和解决方案，为中国电信端到端的智能网络“赋能”，优化5G网络部署、管理和应用效率，借助前沿实践来落实中国电信CTNet2025中长期技术指引和5G技术白皮书战略方向。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

5G来了 自动驾驶落地还远吗

5G网络催化着自动驾驶普及时代的到来，5G与自动驾驶融合发展成为当下大热方向。9月27日，中国联通携手百度、华为在中国国际信息通信展览会开展基于5G网络技术的自动驾驶和远程驾驶演示。中国联通网络技术研究院朱常波副院长、百度自动驾驶技术总监陶吉、华为5G产品线副总裁杜叶清在发布会上发表了讲话。此次自动驾驶实车演示验证了5G网络的大带宽和低时延的能力，让5G网络在自动驾驶和远程驾驶的应用迈出了坚实的一步。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

5G未至车联网已抢先开跑 路侧及车载设备均搭载高通技术

正在路上行驶的汽车，可以根据信号灯或交通指示牌的信息自动调整车速，甚至还能跟转角的其他车辆提前通信，以避免交通碰撞……这些智能化的车联网应用背后，提供技术支持的正是C-V2X。早在2017年，3GPP发布的 R14版本标准就已支持LTE-V2X，今年6月出炉的3GPP R15版本标准更进一步支持LTE-V2X增强(LTE-eV2X)，目前的C-V2X技术具有向5G新空口演进的明确路径，将支持更高可靠性和更低时延，促进智能交通系统高效运行。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

联想携高通抢跑 全球首款5G手机亮相，明年初有望率先在美国商用

联想Tech World在北京雁栖湖召开，在9月27日举行的针对消费端的“个人SIoT技术产品及开发者大会”上，联想集团董事长兼CEO杨元庆展示了全球首款5G ready的智能手机——moto z3。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

5G设备应用扎堆亮相通信展

中国国际信息通信展在京拉开大幕。本次展会上，包括国内三大运营商，以及中兴、华为、爱立信、诺基亚等国内外设备商，均展示了成熟的5G设备、应用和解决方案。业内普遍认为，从此次展会上主流电信厂商的展出内容看，5G网络已具备了成熟的建设基础，一旦5G国际标准出炉，各国运营商有望在第一时间启动5G商用网络建设和运营。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

小米OV等基于高通方案开发5G手机

从10月1日起，中国电信将停止2G和3G手机终端的入库，届时，在本月底前未完成入库的产品将终止流程。几个月之前，中国联通已宣布推进清退2G网络计划，接着在山东、河北等省份逐步关闭2G网络服务，而中国移动也将在2020年前实现3G退网。随着2G或3G网络服务的逐渐退出，可以说是为即将到来的5G网络腾出优质的频谱资源。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

5G手机2020年才普及 魅族暂时不跟风

2018年是智能手机的创新年，也是4G时代的革新年。尤其是这下半年，各路媒体都在报道5G时代将要来临，什么中国移动给了诺基亚70亿的5G订单，华为将最先发布5G手机，5G厂商也将要尽快推出支持5G网络的外挂芯片等等，都让大家觉得5G时代很近了，因此很多人都很犹豫，今年出的这么多款靓丽又吸睛的新机到底买不买？

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

杨元庆发布全球首款5G手机 称在消费端要做好两件事

联想创新科技大会2018 (Lenovo Tech World)在北京雁栖湖国际会展中心举行。本次大会是联想集团全面启动人工智能战略后的首次大会，大会以“智能变革 开放赋能”为主题，继续聚焦人工智能。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

杨元庆秀肌肉，5G鸟枪换炮能否助力联想逆风翻盘

一年一度的联想创新科技大会上，杨元庆关于5G信心满满的表态很快成为科技圈热门头条。

发表于：2018/9/28 上午5:00:00

功率电子设计中的碳化硅共源共栅器件及其优势

　几乎没有必要用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术来描述宽带隙（WBG）器件的质量，因为单从这些器件标注的名称已经足以保证极高的功率密度和匹配效率，最近的一个例证是“小盒子挑战”，它将特定转换器的目标功率密度提高了三倍。在实际系统中，设计人员需要通常由SiC MOSFET和增强型GaN（e-GaN）HEMT单元提供的OFF开关，但它们并不十全十美，都有自己的局限性和缺陷。这两种类型的器件都需要非常特殊的栅极驱动电压。SiC MOSFET具有相对较差的体二极管，而GaN器件则没有经典的体二极管，且没有雪崩电压特性。在“斩波器”、半桥和“图腾柱”功率因数（PFC）级等许多实际应用中，需要体二极管或其他类似的器件。为了显著提高效率，SiC-MOSFET和GaN HEMT需要并联一个高性能二极管，增加了总体成本和复杂性。

发表于：2018/9/27 下午8:56:59