头条 全球首个概念验证量子电池问世 3 月 20 日消息，英国卫报昨日（3 月 19 日）发布博文，报道称来自澳大利亚国家科学机构（CSIRO）的科学家成功研发出全球首个概念验证型量子电池原型，相关研究成果已发表在《光：科学与应用》杂志上。 最新资讯 LinearLT3756高压100V大电流LED驱动方案 Linear公司的LTR3756,LT3756-1和LT3756-2是驱动大电流LED的DC/DC控制器,输入电压力V-100V,输出电压高达100V,PWM调3000:1,恒流和恒压稳压,可调频率100kHz到1MHz,能以升压,降压,升-降模式,SEPIC或反激拓扑驱动LED,主要用于大功率LED应用,限流恒压应用和电池充电.本文介绍了LT3756主要特性,方框图,多种LED驱动应用电路,以及评估板1319B-A/1319B-B主要特性,电路图和材料清单. 发表于：2011/8/15 与光伏电池性能要求相匹配的三种TCO玻璃 近几年，晶体硅价格的上涨极大地推动了薄膜太阳能电池的发展，目前薄膜太阳能电池占世界光伏市场份额已超过10％，光伏用TCO玻璃作为电池前电极的必要构件，市场需求迅速增长，成为了一个炙手可热的高科技镀膜玻璃产品。 发表于：2011/8/15 晶体硅太阳能电池激光边缘绝缘化处理 伴随着晶体硅太阳能电池产业的稳步发展，激光一直被认为是提高电池质量和降低制造成本的重要工具。激光加工在诸如激光烧蚀电极（LFC）、激光刻槽掩埋栅电极（LGBC）、以及M/EWT等应用增长显著，目前在晶体硅太阳能电池制造中应用最广泛的激光工艺之一是激光边缘绝缘处理。 发表于：2011/8/15 杂散电感对高效IGBT逆变器设计的影响 IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 发表于：2011/8/15 户用逆变电源系统的研究与设计[图] 分析、设计了一种以Intel80C196MC微处理器为控制核心的风能、光能互补应用的户用逆变电源系统。系统利用太阳能和风能对蓄电池充电，逆变器采用电流和电压双闭环调节方式，提高了系统的动态响应速度，有效抑制了系统的超调，实现稳态输出无静差。 发表于：2011/8/14 一种全集成型CMOS LDO线性稳压器设计[图] 设计了一种基于0.25μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2.5V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78dB，负戢电流由1mA到满载100mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。 发表于：2011/8/14 LM3434:20A输出LED电源解决方案 NS公司的LM3434是自适应的DC/DC降压恒流电流控制器,提供了用于大功率LED照明的恒定电流。输出配置可使多个LED阳极连接到地以获得散热器最大效率。输入工作电压-9V到30V，输出电流大于6A，PWM频率大于30kHz，开关频率高达1MHz,主要用在投映系统、固态照明和汽车照明。本文介绍了LM3434主要特性、方框图、10A输出和20A输出应用电路图，以及LM343420A输出评估板电路、材料清单和PCB布局图。 发表于：2011/8/14 基于PWM的可控硅非线性调光LED驱动电路 本文分析了现有可控硅调光器用于LED驱动时存在的问题，并根据人眼对光线反应非线性的特点，设计了一种利用普通PWM芯片结合外围电路搭建的可控硅非线性调光LED驱动电路，分析了电路在调光过程中的工作特性，实验结果实现0～100%平稳无闪烁调光。 发表于：2011/8/14 电动汽车燃料电池增程器的系统集成设计 相比纯电动汽车，带增程器的电动汽车在行驶里程方面有很大的优势，相比传统油电混合动力汽车，带增程器的电动汽车在排放方面优点十分突出，而相比新型电电混合动力汽车，带增程器的电动汽车以蓄电池驱动为主，更偏向于纯电动驱动，因此也可视其为从混合动力驱动向纯电动驱动的一种过渡方法。 发表于：2011/8/14 LDO线性调节器电路在StrataFlash嵌入式存储器中的应用 德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流，因为P30 VCC电压需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个LDO线性调节器来提供1.8伏的电压基准。 发表于：2011/8/14 <…1275127612771278127912801281128212831284…>
