头条 全球首个概念验证量子电池问世 3 月 20 日消息,英国卫报昨日(3 月 19 日)发布博文,报道称来自澳大利亚国家科学机构(CSIRO)的科学家成功研发出全球首个概念验证型量子电池原型,相关研究成果已发表在《光:科学与应用》杂志上。 最新资讯 燃料电池发动机二次开发控制系统的设计与实现 本文根据燃料电池发动机二次开发系统的功能需求,设计了可供软配置的控制器以及相应的二次开发升级机制,控制器实现了对内部端口结构以及控制系统运行参数的二次开发升级。本文还提出了燃料电池发动机控制系统多性能协调控制策略,并对其在该控制系统中的应用进行了初步探索。实践表明,该控制系统运行状况稳定、可靠,并获得了良好的控制效果。 发表于:2010/11/20 DC/DC变换器在汽车照明中的应用方案 LED照明在汽车领域的应用日益加速和广泛。本文针对汽车上的特定要求,推出了2种新型DC/DC变换器芯片:LTC3787和LTC3475,并对各自的特性予以介绍,能满足在不现场合上对转换的多项要求,促进了现代汽车电子技术的应用与发展。 发表于:2010/11/20 基于集成芯片TLE621O和L9349的ABS驱动电路设计 当前在ABS设计中普遍采用的电磁阀驱动电路设计均以功率MOSFET为主,辅之以保护回路,隔离措施等以保证其可靠性,还要设计专门的自诊断回路以进行故障检测。虽然在具体电路的设计上分立方案有一定的灵活性,但成本和PCB空间的耗费较高;本方案采用ABS专用集成芯片TLE621O和L9349,集驱动和监测功能于一身,应用于ABS系统中能降低功耗,便于故障检测,提高可靠性,大大改善了整个系统的性能。 发表于:2010/11/20 初次设计反激电源式电源步骤 在初次设计电源之前,应确保电源所采用的印刷电路板符合Power Integrations器件数据手册中指定的布局指南。如果在实验用面包板或原始样板上搭建设计的电路,会引入很多寄生元件,这样会影响电源的正常工作。而且,许多实验用面包板都无法承载开关电源所产生的电流水平,并可能因而受损。此外,在这些电路板上非常难以控制爬电距离和电气间隙。 发表于:2010/11/20 驱动高功率LED照明应用的一种新方法 在诸如路灯、高棚灯体育场照明以及其他许多高功率照明应用中,其发展正转向使用 LED 作为光源的固态照明。这是因为其更高能效和更低维护频率的价值定位,而这两个因素也证明了这种转换的合理性。在此类高功率照明应用中,人们考虑使用各种各样的方法来驱动这些照明灯。 发表于:2010/11/20 图解DC/DC供电不同功率LED通用照明应用要求及电路方案 对于直流-直流(DC/DC)供电的LED照明应用而言,可以根据不同功率范围来展开讨论。 发表于:2010/11/20 一种简单而实用的UPS智能电源监控系统设计 UPS供电系统是电力、通信、银行等行业的必备电源,从产生到现在已有几十年的发展历程,在技术不断发展和改进的过程中,其保护功能也在不断地发生变化。UPS根据主机内逆变器的工作状态可分为:后备式、在线式及在线互动式。他们的作用是对市电进行滤波、稳压调整,以便向负载提供更为稳定的电压,同时,通过充电器把电能转变为化学能储存在蓄电池内,一旦电力中断、电网电压或电网频率超出UPS的输入范围,可在极短的时间内开启自身的储备电源,向负载供电。 发表于:2010/11/20 基于TPS5430和MAXl674的智能充电器 太阳能电池板的便携式充电器是解决通信设备、田间测量仪器等移动式电子产品供电问题的最佳解决方案之一。采用TPS5430降压电路和MAXl674升压电路,由LM393、ICL7660等元件构成的切换电路为控制核心,设计具有自启动功能的电能收集充电器。充电器能够根据充电电压的不同,自动切换到不同的DC-DC变换电路,实现高效、快速充电。测试表明,当充电电源内阻Rs为100 Ω,充电电压Ec在10~20 V范围内,充电电池电动势Ec为3.6 V、内阻Rc为0.1 Ω时,充电电流I>58 mA,自动启动充电电压为3.6 V,电池放电电流为3 mA;而当充电电源内阻Rs为1 Ω,充电电压Es在1.2~3.6 V范围内时,最大充电电流可达256 mA。 发表于:2010/11/20 PXA270的电池充电及电量计量模块设计 以PXA270芯片为处理器,利用2种高性能芯片LM3658和DS2786设计了电池充电与电量计量模块。该模块可以运用于手机、PDA、数码相机、MP3等手持设备中,能够在满足充电任务的同时,实时精确地计量当前的剩余电量,并显示在用户界面上,方便用户使用,具有很好的应用前景。 发表于:2010/11/20 变流器核心器件MOSFET与IGBT 利用多年的实例总结了一些经验拿来和大家分享。有关变流器的核心器件-MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛,最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压(中小功率),IGBT主要应用在高压和中压(大功率)领域。 发表于:2010/11/20 <…1597159815991600160116021603160416051606…>