头条 全球首个概念验证量子电池问世 3 月 20 日消息，英国卫报昨日（3 月 19 日）发布博文，报道称来自澳大利亚国家科学机构（CSIRO）的科学家成功研发出全球首个概念验证型量子电池原型，相关研究成果已发表在《光：科学与应用》杂志上。 最新资讯 艾默生网络能源推出一款成本极具竞争优势、而且可在整个输入电压范围内提供1500W 全功率输出的交流/直流电源 艾默生网络能源（Emerson Network Power）是艾默生集团（纽约证券交易所代号：EMR）的其中一个业务部门，专为世界各地的OEM厂商提供高度灵活的嵌入式计算技术和电源产品，这方面的技术一直居世界前列。该公司宣布推出一款全新的1500W交流/直流电源，其特点是在90至264Vac宽范围交流输入电压下，可全功率输出，尤其在低电压输入情况下无任何降额。这方面与市场上许多同类产品不同。 发表于：2013/7/18 Fairchild韩国8寸晶圆生产线正式启用 快捷半导体(Fairchild Semiconductor)宣布，该公司位于韩国富川的 8寸晶圆生产线正式启动。该新厂象征公司专注于创新功率半导体解决方案，以及在提高产品品质及回应不断变化的市场动态方面进行投资。该厂于7月1日提前完工并已投入生产。7月10日正式举行开业仪式。 发表于：2013/7/17 罗姆与Avnet Internix共同发售适用于赛灵思7系列FPGA及Zynq -7000 的电源模块板 日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与电子元件及嵌入式解决方案的大型商社美国安富利电子元件（安富利EM）的日本业务公司Avnet Internix K.K.（总部位于日本东京）联合开发出一款电源模块板，此产品非常适用于赛灵思产品---赛灵思7系列FPGA及Zynq™-7000 All Programmable SoC的评估套件。 发表于：2013/7/16 Frank：欧盟防堵中国光伏产品是不理智的 “2013APEC工商领导人中国论坛”于7月13日-14日在北京召开。 发表于：2013/7/16 中日光伏装机占比超全球1/3 中欧贸易谈判举步维艰，价格和数量分歧较大，这使得中国光伏企业更加依赖新兴市场，尤其以日本和国内市场为主。根据NPD Solarbuzz发布的数据，2013年下半年中日两国光伏装机量全球占比将达到45%，按照下半年全球装机20GW算，中国和日本的光伏装机量会达到9GW。 发表于：2013/7/16 基于在线软件工具的数字电源UCD92xx反馈环路调试指南 基于UCD92xx 的非隔离数字电源系统由控制芯片和功率级芯片构成。功率级芯片由Mosfet 驱动和功率Mosfet组成，包括独立的Mosfet 驱动（如UCD7232），或者集成Mosfet 的功率级芯片（如UCD7242 和UCD74120等）。通过与UCD92xx 配套使用的在线工具Fusion Digital Power Designer 可以在线调节反馈环路，提高环路调节的效率。本文在一款基于UCD9224 和UCD74120 的数字电源板上演示如何在线调节环路。 发表于：2013/7/16 ADIDAuM5010隔离DC－DC控制器参考设计方案 ADI公司的DAuM5010是一款双通道内部集成数字隔离DC－DC转换控制器。基于ADI公司先进iCoupler技术，数字隔离DC－DC转换控制器提供隔离调整电压范围：3.15－5.25V，输入电压的范围可以从供给略低于所需的输出来显著提高。 发表于：2013/7/16 Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。 发表于：2013/7/15 下一代电动汽车：配备无线充电和锂空气电池？ 电动汽车自上世纪末现身至今，电池容量一直是困扰其发展的主要问题，而现如今，市场众多技术将帮助其找出解决方法，得到进一步发展。 发表于：2013/7/15 Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。 发表于：2013/7/12 <…883884885886887888889890891892…>
