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一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
所属分类：技术论文
上传者：serena
标签：无片外电容 LDO
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文档介绍：利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18m CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2A；相位裕度保持在90.19g以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28s减少到8s；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47s降低为15s。
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