一种片外电容交叉充放电型振荡电路设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

一种片外电容交叉充放电型振荡电路设计
所属分类：技术论文
上传者：zhoubin333
文档大小：3831 K
标签：环形振荡电容充放电电源控制芯片
所需积分：0分积分不够怎么办？
文档介绍：CMOS环形振荡器具有版图面积小、调谐范围大、电路简单便于集成等优点，广泛应用于各类电源系统及电子通信应用中。在常规的环形振荡电路基础上，设计了独立的充放电控制通路，实现了一种交叉充放电型环形振荡电路，并通过外接片外电容的方式，得到更低频率的振荡周期。基于0.18 μm工艺，采用HSIM工具对电路进行功能仿真，经过后端物理实现后，版图面积为172 μm×76 μm，对电路进行提参后仿，结果表明：在3.3 V电压及25 ℃条件下，外接10 nF接地电容时，电路获得约1.2 ms的稳定振荡周期。在Vcc=2.7 V~5.5 V、T=-55 ℃~125 ℃条件下，时钟周期的最大偏移为5.83%。该电路已成功应用于某电源控制芯片中。
现在下载
VIP会员，AET专家下载不扣分；重复下载不扣分，本人上传资源不扣分。

活动