导通电阻 相关文章(136篇)
-
英飞凌新型OptiMOS 7 MOSFET面向各类汽车应用进行优化
发表于：6/18/2024 5:22:25 PM
-
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW
发表于：2/9/2022 1:56:23 PM
-
Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源
发表于：9/23/2020 11:37:00 AM
-
Vishay推出业内最低导通电阻的-30 VP沟道MOSFET，可提高能效和功率密度
发表于：8/19/2020 4:17:00 PM
-
宽禁带生态系统：快速开关和颠覆性的仿真环境
发表于：7/21/2020 12:12:00 PM
-
如何准确的测量开关损耗
发表于：6/26/2019 10:45:03 PM
-
如何正确选择MOS管
发表于：10/12/2017 3:19:34 PM
-
ADI公司推出故障检测和保护、低/超平电阻开关系列产品
发表于：1/25/2015 2:47:07 PM
-
德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻
发表于：1/22/2015 2:21:22 PM
-
IR的电池保护MOSFET系列 为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案
发表于：12/2/2014 4:31:40 PM
-
ADI公司推出故障检测和保护、低/超平电阻开关系列产品
发表于：11/17/2014 11:52:04 PM
-
Vishay的SiZ340DT再度获奖
发表于：10/24/2014 4:41:43 PM
-
Vishay的新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品的功耗
发表于：10/23/2014 11:53:24 PM
-
IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™ 为小功率电机提供基准性能
发表于：10/14/2014 12:54:42 PM
-
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
发表于：10/9/2014 7:55:18 PM
-
IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻
发表于：4/10/2014 4:32:34 PM
-
Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
发表于：3/28/2014 10:29:10 AM
-
ROHM开发出比以往产品小50％的世界最小晶体管“VML0604”
发表于：3/26/2014 9:59:13 AM
-
Vishay发布2014年“Super 12”明星产品
发表于：3/11/2014 10:50:41 AM
-
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
发表于：1/23/2014 3:11:28 PM
-
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
发表于：12/2/2013 4:08:09 PM
-
Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
发表于：7/15/2013 11:10:35 AM
-
Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
发表于：7/12/2013 5:17:32 PM
-
Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族
发表于：6/5/2013 3:04:19 PM
-
电压开关式16位DAC提供低噪声、快速建立时间和更出色的线性度
发表于：5/29/2013 4:17:14 PM
-
英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS™ C7，为硬开关应用带来全球最低的通态电阻
发表于：5/21/2013 4:25:05 PM
-
IR推出40V汽车级COOLiRFET TM, 为重载应用提供基准导通电阻以提升系统效
发表于：5/21/2013 4:24:14 PM
-
Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关
发表于：5/3/2013 3:56:00 PM
-
Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围
发表于：4/24/2013 4:11:00 PM
-
低导通电阻MOSFET测试中的自动校验技术
发表于：4/17/2013 3:41:51 PM
Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2