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导通电阻
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Vishay发布业界导通电阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
发表于:2009/8/25 上午10:58:13
Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET,扩大TrenchFET家
发表于:2009/8/17 上午10:13:21
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发表于:2009/8/13 下午12:59:50
INFINEON CoolMOS SPW20N60C3高压功率晶体管应用高端电源
发表于:2009/8/6 上午9:27:50
Vishay Siliconix的新款第三代12V TrenchFET功率MOSFET提供了业内最佳的导通电阻性能
发表于:2009/7/29 下午12:31:49
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发表于:2009/7/29 上午11:27:23
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发表于:2009/7/28 下午5:27:58
PDPM2009:融合通信成趋势 效率安全受关注
发表于:2009/7/22 上午10:21:50
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Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件
发表于:2009/6/30 下午5:41:53
Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装,大幅节省占位空间并降低设计难度
发表于:2009/6/25 下午2:29:31
德州仪器推出业界最小型集成负载开关
发表于:2009/6/22 上午9:03:21
英飞凌宣布推出具备适用于高能效电源转换产品的理想参数特性的OptiMOS? 3 75V MOSFET系列
发表于:2009/6/19 下午4:15:53
英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS? MOSFET
发表于:2009/6/19 下午4:12:11
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发表于:2009/6/19 下午3:57:28
Vishay Siliconix发布具有业界最低导通电阻的新型第三代20V P通道TrenchFET功率MOSFET
发表于:2009/5/13 上午11:01:47
Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
发表于:2009/4/30 上午11:17:23
意法半导体(ST)推出全新30V功率晶体管,采用第六代STripFET制造工艺,功率密度达到业内最高水平
发表于:2009/4/8 下午4:09:58
Vishay Siliconix 推出业内最低导通电阻的新型 20V P 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET
发表于:2009/3/10 上午9:18:46
意法半导体推出MDmesh V技术的功率MOSFET芯片STP42N65M5
发表于:2009/2/24 下午3:52:22
意法半导体(ST)最新MDmesh V功率MOSFET技术,在650V额定电压下取得最佳单位面积导通电阻、能效和功率密度
发表于:2009/2/20 上午9:49:30
Vishay Siliconix 推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET
发表于:2009/1/8 上午9:32:09
Vishay推出业界首款190VN通道功率MOSFET
发表于:2009/1/6 下午4:15:37
针对负载点消费类电子设备的电源管理解决方案
发表于:2009/1/5 下午1:53:30
Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET 功率 MOSFET实现业内最低导通电阻
发表于:2008/12/23 下午5:38:15
Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET,其切换损耗更低、切换速度更快
发表于:2008/12/5 上午10:12:40
Vishay 的新型 Siliconix 20V TrenchFET 第三代功率 MOSFET再创业界最佳导通电阻记录
发表于:2008/11/21 上午11:36:50
Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记
发表于:2008/10/29 上午10:34:58
带有±15kV ESD保护的高速USB (USB 2.0) DPDT开关
发表于:2008/10/28 上午10:50:20
意法半导体(ST)推出SuperMESH3 功率MOSFET,提高照明系统和开关电源应用的能效、可靠性和安全性
发表于:2008/9/23 下午6:48:13
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